新极速霸主诞生 三星850 PRO首发评测

    在产品的外观方面，我们可以发现三星850 PRO与840 PRO并没有什么差距，再让我们看看内部拆解图，正面分别为一颗512MB缓存颗粒，与三星MEX主控——S4LN045X01-8030，以及四颗闪存颗粒，型号K9HQGY8S5M，背面也为四颗闪存颗粒，型号为K9PRGY8S7M，共同组成了512B容量，在这点上比较奇怪，三星采用了两种不同型号闪存组成的512GB容量，目前笔者还不清楚这两个闪存芯片具体容量分别为多少，后续会从三星获取，再高速大家了。

正面面板搭配主控、缓存与四个闪存芯片

背面面版的四个闪存芯片

S4LN045X01-8030主控

512MB缓存

三星K9HQGY8S5M芯片

    为了弥补闪存在制造工艺提高，同时带来的性能下降，三星去年将MDX主控方案进一步改良，制造MEX主控——S4LN045X01-8030。它内建三个ARM Cortex-R4核心，其工作频率从上代主控的300MHz提升至400MHz。缓存从最大512MB提升至1GB。今年850 PRO仍沿用了这款主控芯片。