TLC技术运用到3D闪存 存储密度可再提升

    泡泡网SSD固态硬盘频道7月8日 三星已在自家的850 Pro系列SSD上采用了3D闪存技术(又称V-NAND)芯片，而它看起来也会成为传统闪存的有力继任者。该方法避开了传统平面(2D)制造过程中所面临的“制程缩小、干扰增大”等问题，从理论上来讲，通过相互堆叠多层单元，V-NAND可实现更高的存储密度。不过，多层堆叠并不是三星唯一的武器，因为该公司早就开始运用3bit的TCL技术了。

　　我们得知三星将把TLC技术运用到3D架构的V-NAND上。

　　在韩国首尔举办的SSD全球峰会上，三星在问答环节期间宣布了3bit V-NAND计划。我们预计，三星会在今年晚些时候推出“更高存储密度”的第二代入门级TLC V-NAND驱动器。

　　对于消费级固态硬盘来说，TLC的缺点在很大程度上有些无关紧要。在三星840系列SSD的耐久度实验中，TLC产品甚至可在烧录了数百TB的数据后才挂掉，而这已经远远超过了一般人的需要。

　　至于840 EVO系列SSD，更是巧妙地运用了SLC高速缓存来抵消TLC较慢的写入速度。综上所述，三星应该理应拿得出令消费者信服的TLC V-NAND产品。