企业级SSD新标杆！三星845DC EVO评测

    泡泡网存储频道7月9日 固态硬盘SSD作为使用非易失性闪存芯片作为介质的存储产品，能够带来机械硬盘无法比拟的速度，是高性能存储、计算设备的必备硬件产品。一直以来，Nand Flash闪存芯片包括SLC、MLC和TLC，其中SLC的为单层单元，性能较好，寿命最长，价格也最昂贵，MLC则为双层单元，性能和寿命有所降低，但是价格较低，是消费级市场绝大多产品选择使用的存储芯片，而TLC则为三层单元结构，尽管成本低廉，但是性能和寿命都较低。不过，随着芯片制造工艺的提高，Nand Flash产品的特性也发生了变化，无论SLC、MLC，其理论可擦写次数都在逐渐降低，这是闪存类芯片的发展趋势：制造工艺提升》性能提升》成本降低》使用寿命降低。然而，我们需要纠正一个错误观点：就是闪存芯片擦写次数=SSD使用寿命，尽管Nand Flash单颗芯片的有效可擦写次数逐渐降低，但是随着主控制器写入策略的进步，SSD产品的使用寿命并没有缩短，各种保护技术的加入使得如今SSD的可靠性相对过去更好。

     三星作为世界上最大的存储器制造厂商，一直以来都坚持着芯片、控制器、固件一手全包，全面掌握SSD产品的所有核心技术，而在闪存芯片技术上，三星更是领先业界，去年三星发布了使用TLC芯片作为存储单元的840 EVO SSD产品，经过一年时间的市场检验，打消了之前人们的一切怀疑和顾虑：840 EVO成为消费级领域最受欢迎的SSD产品，没有之一。人们还在惊叹，三星强大无比的技术将TLC从U盘、存储卡带入了SSD领域，把不可能变为了可能之时，三星今年再次让人目瞪口呆：TLC闪存不仅要做SSD，还要做企业级SSD！于是，就有了这款845DC EVO。这次的三星845DC PRO SSD包括240GB、480GB和960GB三种容量，采用SATA III接口，标准2.5存大小，随机读取分别都有530MB/s、87000IOPS，写入方面240GB版本为270MB/s、12000IOPS，而480GB/960GB版本则有410MB/s、14000IOPS。从数据来看，845DC EVO的写入性能明显的被限制了，这必然是因为采用了TLC介质的缘故，三星也表示，845DC EVO更适用于“读取密集型”应用环境，比如中小企业和数据中心一类访问为主，读取操作远大于写入操作的领域。

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