从天堂到地狱！耕升花屏事件尘封档案

    事已至此我们开始回收产品。999元的钛极4200我们当时已经卖了5个月，所以一下就回收了4万片的产品，以单价1000元来计算的话我们的支出高达4千万元，从出货量来计算几乎是每一个人都退了，损失相当大。无条件退货这种事情就是龙头老大INTEL碰到都会头痛，对我们这样相对很小的厂商来说更是一件非常不容易的事，但谷毅还是决定坚持回收。同时基本上国内所有的报刊媒体都报导了这件事，使耕升这个品牌受到了严重影响，大家对其品质第一次开始怀疑。

    整个事件今天回想起来除了管理人员的问题外，耕升的RD设计人员也的确缺乏一份责任感。处理问题不求甚解，只会就事论事。显卡花屏的技术原因有两个方面：首先钰创DDR显存颗粒对电容的ESR非常敏感，而三星和现代颗粒就不明显（这也是当时很多偷工减料Ti4200卡也没花屏的原因），其次是耕升使用的电容在低温下ESR会暴增。

    在大批量生产钛极4200显卡时为了超频和采购方便RD将公版的330μF的钽二氧化锰电容，换成了1500μF的铝电解液电容。（关于电容的详细介绍和分析请参看本人拙作《完全电容讲座（一）》和《完全电容讲座（二）》，）前者ESR是100-150毫欧姆左右，后者是50毫欧左右（ESR越小性能越好）。但是在冬天，铝电解液电容的ESR开始随温度降低而增加，到10度接近0度的时候ESR爆增，变成了原来的几十倍，其实这是液态阴极电容的一种基本特性。钽二氧化锰电容由于是阴极是固态，因此ESR基本不会随温度下降而明显变化。但是当时并没人知道这个问题是导致低温花屏的关键。

    耕升RD并不了解温度对电容ESR的影响，而认为花屏是因为电容本身的标称ESR还不够好。他们认为钰创显存也许会需要ESR更低的电容，因此换成了三洋CVEX固液混合型电容。虽然CVEX的ESR很少，只有20-30毫欧姆，但因为是固液混合型，阴极还是有液体成分，所以到了0度左右的时候ESR还是增加不少，在某些很冷的环境中，无法彻底杜绝花屏问题，这导致了少数用户更换了显卡后还是花屏，只好让RD重新研究解决问题。

    RD的想法却是ESR还是不够低，因此换成了极其高档的铝PPY（聚吡咯）OSCON电容，才杜绝这个现象。虽然阴差阳错的解决了问题，但如果知道症结的话就完全没必要，只要换成普通中档固态电容就可以了，比如常见的插件式的铝TCNQ OSCON固态电容,其价格甚至比CV-EX还低。