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在这里以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：CAS Latency，内存CAS延迟时间。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
DDR2使用了240pin的封装，而DDR的封装则为184pin
也许DDR2 SDRAM和DDR SDRAM之间的价差需要整个2005年的时间来缩短至10%以内，甚至时间更长，2006年AMD也将推出内置DDR2内存控制器的处理器，届时DDR SDRAM将处于目前SDRAM的位置，DDR2 SDRAM会如日中天。
DDR2的发展速度要比原先设想的慢了六个月左右。令人却步的高价格和无人问津的境地是它增长缓慢的原因，一些主板生厂商认为用DDR2取代DDR的意义对于大多数用户来说没意味着什么。此外，控制世界五分之一的桌面计算机处理器市场的AMD公司一直都不支持DDR2标准，最快也要到明年早些时候才提出支持，这也进一步限制了DDR2的发展。
DDR2与DDR的区别
与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。
然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。
DDR 也就是“双倍数据传输”（double datarate）的缩写，这几年来一直是PC内存的主流标准。目前DDR已达到400MHz，DDR2将以533MHz起跳，并在年底前达到667MHz.更高的时脉将可达到更高的数据传输，提高PC性能。
DDR2 SDRAM/DDR SDRAM/SDR SDRAM内存时钟频率和存储单元频率的比较
同时DDR2也会更省电。根据Samsung的统计，533MHz时脉的DDR2的用电量不到400MHzDDR的65%.这也将节省笔记型计算机的耗电量。
