美光再曝可变电阻式ReRAM 暂未能量产

    泡泡网存储频道12月23日 新的存储技术时不时就会冒出来一个，但从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。如果说Crossbar这种小型创业公司的电阻式RRAM让你感到信心不足，那么存储大厂美光的可变电阻式ReRAM会不会更有吸引力？

    其实，美光早在2007年就提出了这种技术，此后几乎每年都会透露一些进展，但就是距离量产遥遥无期，这次也没有给出具体时间表。

    美光是和索尼联合研发ReRAM的，其基本原理和Crossbar RRAM有些类似，同样是非易失性存储，但是更强调电阻可变，同时为了区分，缩写也有所不同。

    美光这次在IEEE IEDM 2014国际电子设备大会上上公布的原型采用了27nm CMOS工艺制造，三层铜线互连，单颗容量16Gb(2GB)，内核面积168平方毫米。作为原型，它采用了DDR内存接口，但后期很容易替换。

    美光表示，理想的指标是读写带宽1000MB/s、200MB/s，读写延迟2微秒、10微秒，而目前的原型可以发挥大约九成的功力。

设计指标与内核局部照片

设计指标与原型指标

内部互连结构示意图

索尼也有很大的贡献■