泡泡网手机频道 PCPOP首页      /      手机     /      评测    /    正文

工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测

性能  —————————————————————————————————

    性能方面,三星 GALAXY S6 edge 与 S6 相同,均采用了 14nm FinFET 工艺的 Exynos 7420处理器以及LPDDR4 3GB RAM的组合,图形处理器为 Mali-T760 MP8。这颗 CPU 采用了4颗 A57以及4颗A53组成的 Big.little 架构,其中 A57内核主频2.1GHz,A53主频1.5GHz。图形处理器也为8核架构,主频900MHz。

工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测

    14nm 的出现可以说是直接碾压了高通骁龙810处理器,要知道高通的工艺若下探到20nm 以下还要等到今年下半年,三星则通过技术实力领先了高通至少3个月。

工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测
工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测

    这颗处理器的性能表现也非同一般,在鲁大师64位模式测试下,它的得分为65589分,3D 测试中复杂场景保持在40fps以上,能轻松畅玩大型游戏。

工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测

    为了测试其游戏表现,我试玩了一段《RealRacing 3(真实赛车3)》来一探究竟,大家可以点击上方视频查看效果。最终结果表明,游戏过程没有丝毫卡顿存在,赛车的光影表现也很完美。

工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测

    该机内置的3GB RAM 在目前来讲仅仅是够用,打开常用程序的情况下,剩余可用RAM仅有500MB 左右,而清理后也仅有700MB上下,打开过多程序后点击 Home 键会出现主页图标重新载入的情况,但多任务运行不存在卡顿,所以说大家也不必太过担心。不过既然华硕都已经推出了4GB RAM的手机,三星旗舰仅配备了3GB确实有点抠门。

    功耗方面,由于有14nm 工艺的处理器以及 LPDDR4 的 RAM,S6 edge 在续航方面表现不错。首先是充电时间上,三星官方称使用自带充电器可以在10分钟的时间里让手机具有4小时的使用时间。这一点我并未进行测试,因为目前还没有拿到标配充电器。但我使用1.5A的充电器,从0%-100%的充电时间为150分钟,也就是2个半小时,这对于2600mAh的电池来讲,处于中等水平。

工艺和设计的结晶 GALAXY S6 edge评测

    放电时间上,待机10个小时后,电量剩余90%,经过一整天的中度使用,整体电量还剩余32%,表现非常不错。由此来看,S6 edge 的2600mAh不会让你担心它的续航表现,满足1天的使用基本不成问题。

0人已赞

关注我们

泡泡网

手机扫码关注