游戏性能提升43％！市售优品内存实测
内存性能真的那么重要？为什么我们过去一直忽视了那么长一段时间，首先让我们看看以往我们的测试结果。
不同延迟不同频率下，内存的影响
高频率下，低延迟中，好内存能让你的游戏能快多少？
通过以上性能对比图，不用说大家也已经明白内存性能的重要性了吧，就只在1024×768的分辨率下游戏FPS数值便提高了43％之多。
如何能获得较好的内存性能？高频率低延迟。几乎所有的超频玩家都知道目前最优秀的内存颗粒为Samsung TCCD 和Winbond UTT BH5/CH5，各大内存厂商都在自己的高端产品中使用这样的内存颗粒。如果你是一位非常关心内存性能的玩家，你将会发现采用TCCD或者是UTT内存颗粒的内存PCB全部出自——Brainpower，而它的PCB编号为808或者是815。现在要想拥有最好的内存性能，一对使用Samsung TCCD 和Winbond UTT BH5颗粒的内存一定是你的必备品。什么品牌的内存在使用这样的颗粒？如何购买到这样的内存？
记得不久前金邦科技推出了最新一代的超品玩家内存——GeIL ONE(Double Spec DDR)，可以说是DDR超频市场上最具震憾力的新产品。
此系列产品采用三星TCCD及华邦BH颗粒，GeIL ONE GOS产品，在400MHz的速度，CL值设定CAS1.5-2-2-5，或可以超频至600MHz ( CAS 2.5-4-4-7)，并且可以超越Ultra X系列成为市场上可见的最高频产品。
汗！超频至DDR700下CL依然能稳2.5不久前，在一次展示活动中，金邦采用三星TCCD颗粒的GeIL ONE DDR内存竟然可以运行2.5-3-3-7的频率，采用512MB DDR400×2构成双通道模式，使用的主板为DFI LANParty NForce4豪华版。测试的处理器为AMD A64 3000＋ 512KB L2 Cache，并成功的通过了测试软件SuperPI 1M。
超频过程在场有国内知名网站编辑，共同见证了超频的真实性，此图并非处理的，而是真实的超频截屏。
UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4-3.6V的电压下工作。UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同。
过去发现的采用UTT颗粒的内存产品
外包装的左上角有GEIL ONE W标示，表示采用的华邦芯片
外包装右下角有GEIL ONE字样，表示金邦GEIL ONE系列露面的ONE系列内存，在200MHz/DDR400下，内存时序为CL1.5 5-2-2，250MHz/DDR500下为CL2 5-2-2，电压范围是2.55v-2.95v，产地是台湾。这款产品曾在2005台北Computex展出。
在DDR时代，低延迟带来的性能提升更为显著。在VR-Zone的一个测试中，Winbond BH5芯片，3.9v 266MHz/DDR533 @ CL2 2-2-2，sandra2005的内存带宽测试达到了8GB/s。目前DDR400/PC3200的最低延迟都是CL2.0，CL1.5内存的到来，将更大幅度的提升内存的带宽，让更多的玩家体验高性能带来的快感。
GOW产品 - GOW5123200DC (256MBX2) , GOW1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4000 DDR 500 CAS 2-2-2-5
* 双通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包装
* GeIL 筛选的BH-5 UTT 32mx8 DDR 颗粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 铜镀镍白金条散热片
* 零售包装
* 终身保固
TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达成，几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在没有改造过的主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同需求的所有用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补，只是和某些主板的兼容性不是太理想（这一点和BH-5没的比啊）。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的，Kingston Hyper X， Corsair XMS， Patriot XBL， Mushkin Level 2， G.Skill， PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD颗粒的产品已经成为超频玩家们追捧的对象，当然售价也是高高在上。
内存频率 | SPD参数 | 内存模式 | 内存电压 | |
200HTT | 2.0-2-2-5 | 1T | 2.6V | |
200HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 2.8V | |
225HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 2.8V | |
230HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 3.0V | |
265HTT | 2.5-3-3-7 | 1T | 2.6V | |
300HTT | 2.5-4-3-7 | 1T | 2.6V | |
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超频成绩GOS产品 –GOS5123200DC (256MBX2) , GOS1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4700 DDR 600 CAS 2.5-4-4-7 >
* 双通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包装
* GeIL 筛选的TCCD 32mx8 DDR 颗粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 铜镀镍白金条散热片
* 零售包装
* 终身保固
* 2.55V-2.85V
CPU-Z官方根据近40000份超频数据整理出来的内存品牌所占比例
DDR600同步，内存延迟CL=2.5，1T！
延迟极限探索！DDR600同步，内存参数5－3－3－2.5优点：
·漂亮的铂材质散热片
·对主板电压要求不高
·2.8V电压可以稳定运行CAS 1.5
·2.6V电压可以稳定运行300 HTT 2.5-4-3-7
·所用颗粒全部为精心挑选的30%优品
缺点：
·价格会非常贵
同时玩家也提供了其网络购买地址，也就是知名网络硬件交易商“新蛋”，有兴趣的朋友可以看看：http://www.newegg.com.cn/Products/ProductDetail.aspx?sysno=12641
1、CL（CAS Latency）
中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，在BIOS中的选项可能为：2、2.5和3。随着DFI NF4主板的出现，还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。
2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）
中文为“行寻址至列寻址延迟时间”，一般选项有2、3、4、5，别名有Active to CMD等。对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。
3、tRP（RAS Precharge Time）
“内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多，一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。
4、tRAS（RAS Active Time）
“内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大，从1到15都可选择。别名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。
这个选项就是K8平台超频时所称的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。
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