SK Hynix宣布量产HBM显存：20nm工艺

    随着AMD的Fury X显卡的发布，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）技术也正式登上舞台，与目前的GDDR5内存相比，HBM单芯片的带宽从28GB/s提升到了128GB/s，同时功耗降低至少50%。HBM显存主要是AMD和SK Hynix推动的，后者表示他们正在使用20nm工艺大规模量产HBM显存，而HBM不仅可以用于显存，其他如DRAM、NAND及SSD解决方案也可以使用HBM，应用前景还是很广阔的。

    对于HBM的特点和优势，最近我们已经连篇累牍地介绍过了很多，详情可以参考AMD详解HBM显存：性能远超GDDR5，功耗降50%，面积小94%一文。昨天的北京发布会上，AMD公司也请来了HBM之父Bryan Black院士到现场给大家讲解了HBM显存的内幕，从技术角度来说HBM确实是一次（哔~），不仅性能更强、功耗更低，其极低的占用面积使用小尺寸高性能Fury显卡成为现实，称之为芯片设计上的一次革命并不为过。

    SK Hynix目前正在使用20nm工艺大规模量产HBM显存，虽然主要是跟AMD合作研发的，不过HBM并不是只用于显存的，SK Hynix正在设法满足DRAM内存、NAND闪存及SSD固态硬盘等领域的客户需求，所以HBM技术未来的应用前景很广泛。

    AMD、SK Hynix目前研发的HBM技术还是第一代的，是4Hi堆栈的，单颗芯片容量1GB，带宽128GB/s，Fury X的总显存容量也只有4GB。明年SK Hynix还会推出HBM2显存，核心容量从2Gb提升到8Gb，支持4 Hi及8 Hi堆栈，单芯片带宽也提升到256GB/s，也就是说性能及容量都在成倍增长，2016年NVIDIA的Pascal及AMD新一代GPU架构都会使用HBM2显存了。■