你别买到假货！小编内存打假真实曝光

    现代内存颗粒的编号也是由四段字母或数字组成，具体分布请看下图。A、B四部分的含义与三星内存颗粒编号的含义相同，分别表示该内存颗粒的生产企业及生产日期。C、D部分所包含的内容主要是指内存的相关规格。接下来我们就详细分解。

    A部分不用多说，铁定都是Hynix的LOGO。

    B部分是生产日期，由三个数字和一个字母组成，和三星内存颗粒的编号一样，第一个数字表示生产年份，后两位数字表示在该年的第XX周生产。最后的字母，由于在官方文件中没有解释，笔者也未弄明白。

    C部分也是表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。根据频率、延迟参数不同，分别用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。

    其中：
    “D5”代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；
    “D43”代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；
    “D4”代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；
    “J”代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；
    “M”代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；
    “K”代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；
    “H”代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；
    “L”代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 

补充：紧接这C部分的数字后面，实际上还有一个编号，只是这个编号一般并没有被标示出来。他用来表示内存颗粒的工作温度和应用等级。用“Bank、I、E”来表示不同的工作温度和应用等级，其中：

    “Blank”代表商业型，工作温度在0 °C~70 °C之间；
    “E”代表增强型，工作温度在-25°C~85 °C之间；
    “I”代表工业型，工作温度在-40°C~85 °C之间。

    D部分与三星内存颗粒的编号的F部分一样代表着较多的内容，详细拆解请看下一页。