你别买到假货!小编内存打假真实曝光
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第2部分代表产品家族,由两位数字或字母组成,DDR内存由“5D”来代表,SDRAM用“57”来代表。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第3部分代表工作电压,由一个字母组成。由“V、U、W、S”来分别代表不同的工作电压。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
其中:
V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;
U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;
W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;
S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)。
第4部分代表内存模组的容量和刷新设置,由两位数字或字母组成。对于DDR内存,分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
其中:
64代表64MB容量,4K刷新;
66代表64MB容量,2K刷新;
28代表128MB容量,4K刷新;
56代表256MB容量,8K刷新;
57代表256MB容量,4K刷新;
12代表512MB容量,8K刷新;
1G代表1GB容量,8K刷新。
第5部分代表该内存颗粒的位宽,由1个或2个数字组成。分为4种情况,分别用“4、8、16、32”来代表4bit、8bit、16bit和32bit。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第6部分表示的是Bank数,由1个数字组成。有三种情况,分别是“1”代表2 bank,“2”代表4 bank,“4”代表8 bank。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第7部分代表接口类型,由一个数字组成。分为三种情况,分别是“1”代表SSTL_3,“2”代表SSTL_2;“3”代表SSTL_18。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第8部分代表该颗粒的版本,由一个字母组成。与三星颗粒的编号相同,这部分的字母在字母表中的位置越靠后,说明该内存颗粒的版本越新,目前为止HY内存共有5个版本,表现在编号上,则是空白表示第一版,“A”表示第二版,依次类推,到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候,版本越新电器性能越好。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第9部分代表的是功耗,如果该部分是空白,则说明该颗粒的功耗为普通,如果该部分出现了“L”字母,则代表该内存颗粒为低功耗。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第10部分代表内存的封装类型,由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装,“Q”代表LOFP封装,“F”代表FBGA封装,“FC”代表FBGA(UTC:8 x 13mm)封装。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第11部分代表堆叠封装,由一个或两个字母组成。空白代表普通;S代表Hynix;K代表M&T;J代表其它;M代表MCP(Hynix);MU代表MCP(UTC)
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
第12部分代表封装材料,由一个字母组成。空白表示普通,“P”代表铅,“H”代表卤素,“R”代表铅和卤素。
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HY | XX | X | XX | XX | X | X | X | X | X | X | X |
由前面我们对现代内存颗粒编号的拆解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是C部分数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR 200的工作频率),那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好,它也只是一款低档产品。