台积电极速冲向7nm：Intel都快急死了

    在半导体行业，谁抢先掌握了非常先进的制造工艺，谁就可以呼风唤雨，而在技术日益复杂、摩尔定律几近失效的今天，先进工艺的重要性就愈发凸显，Intel这样的大拿也有些吃不消，22nm、14nm接连掉链子。

    台积电其实也不是很顺利，40nm、28nm时代就两次严重滞后，20nm又一门心思为苹果服务，接下来的16nm完全被三星14nm抢走了风头，但是对于未来，台积电又画了一张大饼。

    台积电总裁兼联合CEO Mark Liu近日透露：“我们的10nm工艺开发最近进展非常令人激动，也符合我们的计划。技术性风险试产定于今年年底，后续就会有大量客户产品的验证。批量生产将从2016年底开始。”

    要知道，台积电16nm也才刚刚迈入量产的门槛，而且要到第四季度才会提上规模，即便如此苹果A9的订单也被三星抢走了30％。

    按照台积电一贯的说法和做法，10nm真正量产至少要到2017年第一季度。事实上台积电另一位总裁兼联合CEO C.C. Wei随后就补充说：“我们将在2016年第四季度投产10nm，不过真正的产品出货会在2017年第一季度。”

    不过这也基本能保证领先于Intel，后者的10nm平台原计划在2016年第二季度推出，但已经大大推迟，虽无明确时间但肯定得到2017年第二季度了。

    台积电表示，相比于现在的16nm FinFET+，10nm FinFET (CLN10FF)工艺能将晶体管密度提高110-120％，同等功耗下频率提升15％，同等频率下功耗降低35％。

    更进一步地，台积电计划在2018年的某个时候投产7nm，如能实现将彻底领先Intel，后者的7nm还没时间表，但照现在这个样子，怎么也得2019年了。

    当然，IBM更猛，已经造出了7nm试验芯片，但投产时间未定，三星、GlobalFoundries将从中获益匪浅。■