AMD终于落后了!65nm新核心P4全面测试

● 继续使用“应变硅”技术

    在Cedar Mill当中Intel继续使用其“应变硅”技术来控制高频工作下的漏电流，而不是SOI。应变硅的技术原理是将在MOS管的栅极下沟道处的硅原子的间距加大，减小电子通行所受到的阻碍，也就是相当于减小了电阻，当MOS管打开的时候电流就会更顺利地沿着拉伸方向在源极和漏极之间流动，这样一来半导体器件发热量和能耗都会降低，而运行速度则得以提升。

● 晶体管“深度睡眠”技术

    另外，Cedar Mill和Presler（65nm双核）核心都能够自动关闭未使用的晶体管（包括部分缓存区域和其他功能模块），或者说是使这部分晶体管处于深度睡眠状态，而Intel称唤醒这部分晶体管所需时间非常短不会造成性能上的延迟。

● 65nm工艺8层铜互连技术攻克

 从处理器外观上看不出来Cedar Mill和Prescott有什么区别

● TDP（设计功耗）降低：

    相比早先的Prescott核心，Cedar Mill(3.0到3.6GHz)的设计功耗从95瓦下降到了86瓦，而通过我们的实际测试，在满负荷情况下Cedar Mill的功耗比Prescott（同为2MB二级缓存）下降了20%，由此以来Intel在处理器“每瓦特性能”对比中与AMD差距进一步缩小。