存储技术突破3D XPoint闪存性能大提升

    自从1989年NAND闪存技术问世以来，提升速度、容量及可靠性一直是NAND闪存不变的追求，但NAND闪存一直在量变而非质变。Intel、美光今天联合宣布了3D XPoint闪存技术，号称是25年来存储技术的革命性突破，速度是目前NAND闪存的1000倍，耐用性也是目前闪存的1000倍，密度是NAND的10倍，而且它的非易失性不仅可以用于NAND硬盘，还可以用于RAM内存等，绝对是划时代的进步。

    在如今的数据大爆发的时代，数据的存储及分析成为新的挑战之一，厂商需要在性能、密度、功耗、非易失性以及成本之间平衡。Intel、美光推出的3D XPoint闪存速度及耐用性是目前NAND闪存的1000倍，容量密度则是NAND闪存的10倍，这将有助于解决目前数据存储的难题。

    更关键的一点是，3D XPoint闪存不同于目前的NAND闪存及RAM内存（两者不仅性能有差异，关键的是内存是数据易失性的，断电就没数据了），它的出现有可能模糊闪存及内存的界限，不仅可以用于普通的闪存，还可以用于DRAM内存。

    目前美光、Intel的工厂已经开始生产3D XPPoint闪存，首款使用3D XPoint闪存的产品预计在2016年问世，使用20nm工艺、双层堆栈的128Gb核心闪存。看得出来，虽然Intel、美光宣传的3D XPoint闪存非常NB，不过实际量产还要慢慢来，128Gb核心的容量相比目前的NAND闪存并没有多大提升。■