众神的怒吼！AMD FX60全球最完全解析

    65纳米（1纳米等于十亿分之一米）制程融合了高性能、低功耗晶体管、第二代英特尔应变硅、高速铜互连以及低-K电介质材料。采用65纳米制程生产芯片将使英特尔能够将当前单个芯片上的晶体管数量再翻一番。65nm晶体管不仅在尺寸上比90nm产品更小，而且还会降低能耗并减少电流泄漏。

    65nm工艺将把泄漏降低四倍，同时与90nm晶体管相比性能却不会降低。其秘密在于英特尔的“应变硅”技术。当然，它在90nm工艺中也使用了应变硅，但在65nm节点中使用的却是第二代产品，它能够在使晶体管性能提高10%-15%的同时却不会增加泄漏。 65nm工艺还采用了Low K介电质，这种材料能够进一步限制泄漏。该工艺采用的是8层排列的铜线互连。

    Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代应变硅技术，铜互连以及低K值电介质。4Mbit的芯片单元大小仅有0.54平方微米，每个单元由6个晶体管组成。Intel介绍1000万个这样的芯片和圆珠笔尖相当。

65纳米技术SRAM芯片

300毫米晶圆

     英特尔首席执行官保罗·奥特里尼（Paul S. Otellini）在本年IDF大会的演讲中表示，到2006年第3季度，多内核微处理器在微处理器总供货量中所占的比例预计将超过50％。2007年，在台式电脑和笔记本电脑领域预计都将达到90％，在服务器领域将接近100％。在该公司于2005年3月召开的IDF会议上，曾预测2006年将达到70％以上。

      Intel基于65nm制程生产的处理器已知会在年底量产并在明年初开始陆续推出上市（其好处除能节省生产成本以外还可降低现有90nm制程P4/D/Celeron的功耗，而未来则也可帮助Intel提高处理器性能生产新一代架构的处理器），那么AMD的65nm制程开发现在的进展又如何呢？AMD方面在今年十月中正式启用其首座65nm制程300mm晶圆厂Fab36，而相关的生产设备目前也已开始安装。

    65nm工艺技术细节

　　高级晶体管：英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管，这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下，今天非常先进的晶体管（用于英特尔®奔腾®4处理器）其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。

　　应变硅（Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升。

　　采用新型低-K电介质材料的铜互连 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八个铜互连层，使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。

    工艺真的如此重要？后面的测试会告诉我们的众多猜想是否正确。