火星撞地球 优异双核FX60对决PEE 955
65nm工艺将把泄漏降低四倍，同时与90nm晶体管相比性能却不会降低。其秘密在于英特尔的“应变硅”技术。当然，它在90nm工艺中也使用了应变硅，但在65nm节点中使用的却是第二代产品，它能够在使晶体管性能提高10%-15%的同时却不会增加泄漏。 65nm工艺还采用了Low K介电质，这种材料能够进一步限制泄漏。该工艺采用的是8层排列的铜线互连。
Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代应变硅技术，铜互连以及低K值电介质。4Mbit的芯片单元大小仅有0.54平方微米，每个单元由6个晶体管组成。Intel介绍1000万个这样的芯片和圆珠笔尖相当。
65纳米技术SRAM芯片
300毫米晶圆
英特尔首席执行官保罗·奥特里尼（Paul S. Otellini）在本年IDF大会的演讲中表示，到2006年第3季度，多内核微处理器在微处理器总供货量中所占的比例预计将超过50％。2007年，在台式电脑和笔记本电脑领域预计都将达到90％，在服务器领域将接近100％。在该公司于2005年3月召开的IDF会议上，曾预测2006年将达到70％以上。
Intel基于65nm制程生产的处理器已知会在年底量产并在明年初开始陆续推出上市（其好处除能节省生产成本以外还可降低现有90nm制程P4/D/Celeron的功耗，而未来则也可帮助Intel提高处理器性能生产新一代架构的处理器），那么AMD的65nm制程开发现在的进展又如何呢？AMD方面在今年十月中正式启用其首座65nm制程300mm晶圆厂Fab36，而相关的生产设备目前也已开始安装。
65nm工艺技术细节
高级晶体管：英特尔新的65纳米制程将采用门长度仅35纳米的晶体管，这是当前开始量产的尺寸最小、性能最高的CMOS晶体管。相比之下，今天非常先进的晶体管（用于英特尔®奔腾®4处理器）其门长度仍有50纳米长。更小更快的晶体管是制造速度更快的处理器不可或缺的构建模块。
应变硅（Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升。
采用新型低-K电介质材料的铜互连 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八个铜互连层，使用低-K电介质材料来提高芯片中的信号速度和减少芯片功耗。
工艺真的如此重要？后面的测试会告诉我们的众多猜想是否正确。
