什么"普条"最值？17款DDR400内存横评

    F1赛车的极速远不只是一台800匹马力的V10发动机所获得的胜利，汽车关键技术还有变速箱、ABS等汽车上的关键零部件，电脑亦如此，一个简单的道理，一颗强劲的CPU并不能对一个“慢”显卡做出补偿，我们需要做到整体的配比平衡，内存犹如汽车里的变速箱，它的地位非常重要。

    如果要问市场中什么内存最好卖，当然是DDR400“普条”，要问过去什么内存卖得最多，当然是“现代打字条”，但是你知道什么“普条”价格最低性能较好吗，没人知道，所以我们的横评来了，犹如一场春天的及时雨般酣畅淋漓。

    ● 为什么要做DDR内存的横向对比？

    本文的目的，为读者找出产品优缺点，指导用户如何正确购买与使用内存产品。在内存同质化的今天，横向对比测试更加显得有意义。

    对于大多数用户来说，目前，买机器的时候决定内存的选择是比较简单的一件事情，他们只考虑两点：什么牌子，多大容量。更成熟的用户会考虑内存的频率：到底是DDR 400还是DDR 500。

    内存被我们定义为传统电脑中的三大件（主板、CPU、内存），它就像一个临时的仓库，负责数据的中转、暂存…… 平时我们装机，内存是我们最容易忽略的“附件”，之所以成为“附件”还是说明大家的不重视，很多人装机最多的是容量的选择，256MB或者是512MB，其实内存的性能影响巨大。为了让大家正确选购产品，我们特别组织了本次内存横向评测，我们拿到了市面上几乎所有主流DDR400内存产品，再此进行对比，找出差距，   

    ● 关注内存性能真的很重要吗？

    我们知道CPU需要处理的数据都是存放在电脑的内存里，CPU能直接访问的。其他设备如外部存储器（硬盘、光驱）或者输入输出设备的数据如果要被处理器访问也必须先传送到内存。这样一来，内存的性能对系统的影响自然也就不言而喻。

    ● 内存性能不好会导致什么后果？

    内存传送给处理器的数据如果不能满足处理器的需求，就会造成处理器运算性能的下降。同样的，处理器送回内存的处理结果如果不能及时写入，也会使得整个系统的运行效率降低。

    DDR（Double Data Rate）内存是双倍数据传输速率同步动态随机存储器的简称，DDR内存是SDRAM向前进化的产物，本质上和SDRAM完全相同。DDR内存可以在时钟周期的上升或下降阶段传输数据，所以理论上与同频运行的SDRAM内存相比，DDR内存具有双倍于SDRAM内存的带宽。

    DDR内存也好像它们的前辈那样，经历过FPDRAM、EDORAM、SDRAM到今天的DDRRAM变迁之后，随着技术进步而被逐步淘汰。

     DDR内存标准除了中国台湾的威盛VIA，矽统SIS，扬智ALI三大芯片厂商的支持以外，DDR AMI2 联盟内的NEC，MICYON，三星，现代，日立，东芝，三菱，富士通(有些已转RDRAM阵营)等等无一不是世界上有影响力的业界大厂，在当时同时以AMD 760芯片组、VIA KT266芯片组、ALi的MAGIK1芯片组等DDR主板的面市，DDR的声势日渐浩大，甚至英特尔也不得不接受DDR的各种优势，在845芯片组中使用DDR，其服务器芯片i870也支持DDR SDRAM内存。其它的电脑厂商如IBM，NEC等更已经被DDR SDRAM深深吸引住。

    过去DDR内存规格出现了4种：目前DDR内存已经有三种规格，分别是PC1600（带宽为1.6GB/s）DDR200、PC2100（带宽为2.1GB/s）DDR266、PC2700（带宽为2.7GB/s）DDR333，PC3200（带宽为3.2GB/s）DDR400。

    由于生产成本上同传统的SDRAM相比只是略有提高，而且只需对原有的SDRAM生产线进行小范围的改造就能转入DDR内存的生产，再加之不存在任何专利等方面的问题，所以DDR内存成为今天乃至今后很长一段时间内的主流产品已经成为一个不争的事实。

       英特尔在1999-2002年试图将储存主流由SDRAM提升至Rambus DRAM，最后功败垂成，转而支持具有同样成本效率的DDR标准。这一次转向DDR2标准，显然比上一次做好了更充分的准备，不过普及之缓慢也是我们所预料之中。

     英特尔宣布2004年将推出五款支持DDR2 SDRAM的新芯片组，此举明显拥护DDR2 SDRAM内存技术。虽然DRAM厂商根据历史判断，预计最快6个季度DDR2就能顺利取代DDR成为主流。

   DDR好还是DDR2好，这似乎是一个老话题，先让我们来看看它们间的对话：

    DDR2粉丝团：虽然以前DDR2 400的性能比DDR 400差不少，但DDR2 533出现以后，DDR的性能优势就不再明显了，更不要说DDR2 667了，性能更是超越了DDR 400领先了很多。

    DDR后援会：不要吹牛了，DDR2 533的性能和DDR不过在伯仲之间，不少项目还是DDR内存领先。至于DDR2 667嘛，确实频率和带宽都高，可是它的延迟也高啊，DDR2的优势还是不明显。

   DDR2内存虽然带宽上比DDR要高很多，但是由于其内部存储单元的实际运行频率并不是太高，所以由此带来的高延迟时间问题一直困扰着DDR2内存。也使得现在的DDR2内存在实际性能表现上并不能全面超越DDR内存。

    测试结果表明DDR VS DDR2，没有真正胜利者。他们之间存在的差距都非常小。从以往的测试成绩来看，基本上可以认为在性能上DDR2 800>DDR2 667>DDR500>DDR2 533>DDR400>DDR2 400，为什么DDR II 533性能很多时候不及DDR400？延迟正是根本原因，在对延时性能较敏感的测试（如PCMark04总体得分）中，DDR400甚至会有超越DDR2 533的表现。

    由于处理器上的供求迅猛，内存厂商也不得不一而再，再而三的调整其内存生产线，以满足客户的需求。很明显的，我们从内存颗粒的国际成交价格就可以看出。就在十月份，DDR I内存的稍微上涨，和现在其价格的逐步回落，很大程度上是由于内存生产厂商对DDR I与DDR II的生产线调整所带来的。

    而在零售市场方面，DDR I仍然会占据主流的原因，一方面是受到AMD的影响，AMD处理器迟迟不肯踏入DDR II时代，让内存厂商们也有所保留。另一方面，DDR I 内存经过多年的工艺改造，已经变得相当成熟，良品率的不断增高带来的产量提升，使得厂商的利润得到更多的保证。

    ● 影响内存性能的两个参数：频率与参数

    内存关键的两个频率与参数，在这里我们可以形象的比喻，为拉力赛制造的汽车可以跑得超快，但无法像F1赛车一样灵活。同样地，F1赛车在拐角处是优秀的，但在沙漠中将被拉下，普通内存频率与参数很难同时满足。

    ● 什么是SPD？

　　SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。

　　● SPD的作用是什么？

　　启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。

　　从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。

    ● 内存各项参数优化详解：

    参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代，对于参数的描述变成了4个值，例如：2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么？简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS，这个缩写的全程和中文名称如下：

　　启动计算机，进入主板BIOS设置（这里以Award BIOS、P4系统为例）中“Advanced Chipset Feature”界面，选择“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。

　　注：默认设置为“SPD”，即“自动侦测模式”。在SPD模式下，系统自动从内存的SPD芯片中获取信息，所以理论上说，此时内存的工作状态是最稳定的。

　　如果想超频内存，就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外频为133MHz，要将DDR333内存超频到200MHz外频使用，那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到DDR333，无疑就要选择“3∶4”。

　　如果要保证调节后的稳定性，有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是：选择“Add Voltage”，然后进行调节。切记：在提高内存工作电压的时候，要循序渐进，切勿一次提高过多而损坏内存。

　　2.调整内存延迟时间

　　我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：

　　（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。

    图表显示了CAS2，CAS2.5和CAS3延时的时间选择（例如标记了CL=2的就是CAS2）。注意那些指出了时钟信号的上升或下降的垂直虚线，因为这是双精度数据RAM，每个“时间单位”有两个这样的点。

     CAS Latency是读取命令的送出和输出数据的第一个块有效之间的延迟。CAS Latency以时钟周期来度量。在三个例子的最后一个里，在T0（Time=0）送出的读取命令直到T3（Time=3）才生效。

    建议：较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。

    我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。

    （2）修改tRCD（（RAS-to-CAS Delay）值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。

    建议：对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。

    （3）修改tRP（RAS Precharge Time）值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。

    建议：tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。

    （4）修改tRAS（RAS Active Time）值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短。

    建议：调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。

    （5）Command Rate

    K8平台中的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。

    建议：这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。在调试时可以先设置为1T，假若不稳定再采用2T设置。

    提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。

    ● 金士顿 DDR400 512MB