845E也能DDR400，七彩虹P4E ProII

去年年中，DDR SDRAM内存相对RDRAM低廉的系统成本以及相对于SDRAM突出的性能提升，人们逐渐感受到DDR SDRAM的巨大优势所在，经过一年时间的过渡，DDR SDRAM内存终于取得了市场的主流地位，当然这也是同英特尔后期推出支持DDR SDRAM芯片组是密不可分的。

DDR333与DDR400之争：

去年矽统的SiS645芯片组首次提供了对DDR333 SDRAM内存的支持，而且对于Pentium 4这类对内存带宽渴求度相当大的系统来说，普通的DDR266 SDRAM所提供的2.1GB/s的带宽显然已经不能够满足Pentium 4系统的对内存的存取速度需要，而对于Athlon XP处理器对于系统内存带宽的要求则并非如此强烈，因此高内存带宽对于提升Pentium 4系统性能来说才显得尤为重要。

随着Pentium 4系统平台逐步全面转向DDR333 SDRAM内存的支持，未来一段时间DDR333 SDRAM内存会是市场中绝对的主流产品。英特尔将在九月正式推出支持DDR333 SDRAM内存的845GE、845PE芯片组，在英特尔强有力支援下，自然下半年DDR333 SDRAM内存的销量将会比上半年大幅度增张，近期三星等内存厂商都表示已经最好了一切准备，下半年开足马力加大DDR333 SDRAM内存的产量。DDR333 SDRAM将取代DDR266 SDRAM成为内存市场上新的霸主。

从以往我们所进行的测试看，搭配DDR400 SDRAM内存的芯片组性能都相当好，在测试中几乎可以同搭配PC800 RDRAM的850芯片组相互匹敌，但可惜的是当前还没有一款芯片组可以很好的支持DDR400 SDRAM内存，即使有也只是停留在初期的工程样板阶段。象我们测试过的P4PB 400主板（P4X400芯片组）虽然官方宣布支持DDR400 SDRAM内存，但实际上其跑在DDR400模式下时还欠缺稳定性和可靠性，而矽统方面则只能在SiS648公板上通过DDR400内存测试，而其它大多数厂商推出的SiS648芯片组主板想要稳定运行DDR400内存则还比较困难。

但是对于一些DIY超频发烧来说，DDR400内存绝对是其不二之选，因为内存方面完全可以没有问题的运行在200MHz外频下（DDR400），不少人可以在超频时让内存跑在200MHz外频，甚至更高，系统性能得到了突出的提升。虽然矽统（SiS）以及威盛（VIA）都有支持DDR400 SDRAM内存芯片组的计划，但人们还是将更多的目光放在了未来的DDRII以及双通道DDR芯片组上，如果你注意到这些厂商的Roadmap，你会发现，明年上半年将是双通道DDRII内存的天下。

RDRAM盘踞高端：

自从英特尔推出采用533MHz外频的Pentium 4处理器，北桥与处理器之间的数据传输带宽进一步提升到4.2GB/s，因此搭配数据带宽为3.2GB/s的PC800 RDRAM内存已经不能完全满足Pentium 4处理器巨大的“胃口”，内存又成为提升系统性能的瓶颈。

英特尔五月推出的845E、845G以及850E，都可以支持533MHz前端总线的Pentium 4处理器，似乎850E芯片组支持更快的PC1066 RDRAM也是理所当然的事情，但不知处于何种考虑英特尔官方并没有宣布支持PC1066内存，不过在大多数850E主板中生产厂商则都提供了PC1066内存的支持，而且测试中表现也都非常稳定，因此它又成为最强的Pentium 4平台，在高端市场PC1066内存与i850E芯片组仍是绝对的统治者。

未来一段时间RDRAM内存的发展方向一是进一步的提高工作频率，在矽统芯片组的发展蓝图上看到其用于RDRAM内存的SiS658芯片组已经可以提供对PC1333 RDRAM的支持；二是引入32bit RIMM4200内存，这样用户不必为实现双通道工作模式，而每次都必须插接两根或四根RDRAM使用。

DDR内存的发展方向：

提高内存的有效工作频率，是在不改变当前模块设计的前提下提升内存带宽最直接有效的方法，但是受到主板芯片组以及内存本身的影响，进一步提升内存的工作频率已经相当困难，DDR400 SDRAM已是DDR-I内存的顶峰之作。但是DDR400 SDRAM内存虽然价格上并不昂贵，但是既没有可与之完好搭配的芯片组支持，也没有通过JEDEC（联合电子工程委员会）的内存标准认证，因此DDR400内存只是现阶段超频玩家以及追求性能用户的非常好的选择，而DDR-II内存才是未来DDR SDRAM内存的接班人。

根据JEDEC在不久前制定的DDR-II内存的初步规范，DDR-II内存在生产工艺、封装形式、工作电压上与DDR-I都不尽相同。首先DDR-II采用了0.13微米工艺生产，封装也随之改为FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）形式，同目前内存制造广为使用的TSOPII封装形式相比，FBGA具有小巧外形的CSP（芯片级封装）型，同时具有印制线路板小的优点，而且信号完整性更佳。

新的生产工艺不但可以保证内存稳定的运行在较高的频率下，而且内存的工作电压也由DDR-I所使用的2.5V降低到1.8V。从内存厂商ELPIDA公布资料看DDR-II533（运行在266MHz）内存的功耗为304mW，而现有的DDR266（运行在133MHz）内存的功耗为418mW，工作频率提高了一倍，而功耗却降低了27％。

根据JEDEC的DDR-II规划蓝图，DDRII将拥有400MHz、533MHz、667MHz三种速度规格，分别对应200MHz、266MHz、333MHz实际频率，内存带宽分别达到3.2GB/s、4.2GB/s、5.4GB/s，初期生产的内存容量为512M，另外在图形卡市场，DDR-II内存将很快出现在nVIDIA最新的图形卡NV30上，而其拥有更高的时钟频率（800MHz以上），而且位宽更大。

另外，同DDR-I区别比较大的地方还有DDR-II增加了CAS、OCD、ODT、AL四个中端指令并且拥有4到8路的Burst Length（脉冲宽度）以及4位预取存取功能。三星等内存大厂已经生产出512MB的DDR-II SDRAM样品。最快DDR-II内存将最快应用在nVIDIA十月推出的NV30图形卡上，而DDR-II内存迈向市场主流，那就是2003年的事了。<