今年9月试产 茂德引入70纳米内存制程

    茂德董事长陈民良近日表示，茂德70纳米裂程9月导入试产，明年第二季量产；中科四厂也预计2008年切入60纳米堆叠式制程技术，将是国内首家切入60纳米制程的DRAM厂。
茂德第三座12寸厂中科四厂昨天动土典礼，经济部次长施颜祥、台湾惠普董事长何薇玲、海力士研发部副总经理朴星昱等人共同主持动土。

    茂德中科四厂斥资25亿美元，预计明年下半年完工、第四季移入机器设备开始量产。四厂未来将直接导入70纳米与60纳米堆叠式制程技术，总建置产能为4万片。茂德中科厂为双子星设计的两座12寸晶圆厂，包括以90纳米切入量产的晶圆三厂，以及将以70纳米切入的晶圆四厂。

    陈民良说：“四厂在茂德技术动能推动上，扮演重大意义。”他强调，70纳米制程移转自合作伙伴海力士（Hynix），但在2008年将推进到60纳米及50纳米制程。这是双方共同研发技术制程开始，在DRAM产业具有领航意义。

    茂德规划中科三厂产能建置分两阶段，第一阶段规划至今年底，产能将扩充到3万片规模，以90纳米制程为主。第二阶段制程技术将推进到70纳米，预计今年9月导入试产，届时月产能由3万片推升到4万片，预定明年下半年完成。陈民良说，茂德第一批70纳米晶圆将于9月1日试产投片，最快明年第二季70纳米即可在三厂量产。