三星导入60纳米制程 闪存容量增至8GB

    根据有关业界之消息指出，韩国三星电子公司已开始以60纳米制程MCL(Multi-Level Cell)方式来生产8Gb NAND型之快闪记忆体，其粗细相当于人体毛发2000分之1，是截至目前为止最细微之记忆体。 

    消息来源同时指出，三星电子公司自今(2006)年3月起率先以80纳米制程正式生产DRAM产品，此次又以60纳米制程生产NAND型快闪记忆体，较过去70纳米制程之产能提高25%以上。故不仅技术竞争力大幅提升，在成本竞争力方面亦较其他厂牌先进，足以在半导体业界独占鳌头。