王者之间的较量，R300 VS NV30深度

作为最新一代的GPU，R300和NV30自然还有提供了其他很多最新先进技术和优化设计方案。多数是对于以前的旧有技术进行改良增强，当然也提供了一些最新技术。限于篇幅，加上网上对R300的介绍文章汗牛充牍，笔者这里就不一一介绍了，仅仅对一些重点内容发表一些自己的总结性看法。

所谓技术特点，就是GPU为了提高执行效率，提供更好的图像质量，或者支持更多的功能或工业标准，而增加的一些技术和产品功能。

AGP8x：

对于128MB乃至250MB的NV30/R300来讲，如果面向消费类用户，这是重要性最低的技术之一。原因笔者专门有文章论述，这里就不多说了。

可以看出AGP8x与AGP4x模式下R300的3DMark2002成绩毫无区别

Z缓冲优化和交错式内存控制器
最早由ATi在R100中提出，R300已经发展到第三代，Hyper-Z III，除了原有的技术外，新增加了早期Z测试功能。交错式内存控制器技术是由nVIDIA在NV20中引入，R300也采用了这项技术

R300的交错式内存控制器

nVIDIA 将这两项技术统称为光速内存结构（LMA），NV30同样发展到了第三代LMAIII。值得一提的是，LMAIII也支持早期Z测试功能。

关于LMAIII的谣传很多，例如，LMAIII采用的极其复杂的早期Z-Culling算法效率惊人；全新的显存控制器结构极大地提高了数据访问效率，尽管笔者相信这些内容应该不是空穴来风，但却没有资料证明。因此，从现有的资料上来看，NV30暂时和R300平手。

大家都已经知道R300的显存控制器采用的是256bit位宽，然而NV30的传言令人迷惑。最早来自nvmax.com的说法声称NV30采用了与Parhelia 512和R300类似的256位宽显存控制器接口，不过最近来自谣言基地theInquirer.net的最新消息则称NV30仅仅采用了128位宽的显存接口。

理论上拥有16个纹理单元的NV30需要256位宽的接口，不过由于这16个纹理单元是共享的，所以可以大大缓解高图元填充率对显存带宽的压力。如果NV30采用了更加有效的设计，则128位宽再配上高速DDRII应该也能够满足需要。

至于NV30所能够采用的DDRII的运行频率，根据Samsung发布的消息，应该在800MHz~1GMHz之间，Samsung宣称可以在2002第三季度量产1GHz DDRII颗粒。NV30应该也会划分不同的运行频率的。

NV30采用了eDRAM的可能性几乎为零，因为总共才拥有120百万个晶体管，比R300不过多出了1千万个晶体管，比照NV30的设计复杂性，没有多余的空间供eDRAM使用。不过拥有比NV2x更大缓存的可能性还是很大的。<