三星蝉联! 06年全球NAND市占排名出炉

    据市调机构iSuppli报告指出，2006年第三季NAND型闪存销售额达31亿美元，较第二季27亿美元成长11.8%，其中日本大厂东芝（Toshiba）因位产能（bit production）顺利提升，销售表现尤其亮眼，市占率向上推升至27.8%，与龙头大厂三星电子（Samsung Electronics）之间的距离顿时拉近不少。值得注意的是，受到终端产品需求不如预期所影响，iSuppli表示，近期可能会缩减第四季NAND型闪存销售预估。

    东芝继续表现出色，第三季销售额达8.49亿美元，和前一季的6.73亿美元相较增长了26.2%，市占率亦由24.6%推升至27.8%，同期间身为NAND型闪存龙头的三星电子，市占率则反而由第二季的46.2%降至43.1%，使得东芝与三星市占差距顿时缩小，并且拉开与排名第三的海力士（Hynix）之间的距离。海力士第三季市占率延续第二季18.5%的成绩，与东芝相差了9.3个百分点。

    iSuppli表示，位产能迅速成长，是东芝第三季强劲表现的一大助力，数据显示东芝该季位产能较上1季劲扬70%，远高于整体产业平均成长幅度44%。

    另一方面，甫加入NAND型闪存市场不久的英特尔（Intel）以及近期积极投入的美光（Micron），2业者合资成立IM 闪存主攻NAND型闪存，虽销售规模仍小，但亦展现高度成长动能，季增率分别高达127.8%、35.3%。

    iSuppli特别指出，厂商快速提高MLC（Multi-Level-Cell）技术产能，可大幅提升NAND型闪存芯片容量，为产业正面发展，三星和海力士第三季MLC芯片即分别占整体产能40%、50%，iSuppli预测，若以位计算，2007年第一季MLC技术制程将占市场整体产能的8成。

泡泡网视点：NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主。当07年MLC（Multi-Level-Cell）技术制程成熟时，NAND型闪存芯片容量就能大幅度提升，到时以小容量NAND型闪存芯片的记忆卡价格必定会再次下调。