替代闪存!Intel计划今年初推相变内存

    Intel计划于2007年上半年推出90nm制程128Mbit规格的相变内存，在2007年底应来大规模量产。Intel 闪存部门的副总裁Brian Harrison和首席技术官员Ed Doller在3月6号的会议上透露，Intel早在2000年就从Ovonyx（Energy Conversion Devices的子公司）那里获得了授权研究相变存储技术，而在2006年6月，Intel也和STMicroelectronics合作，研究将相变内存代替闪存作为下一代非易失性存储设备。

    对将相变内存作为闪存替代方案的公司越来越多，例如奇梦达（前Infineon内存业务部）和IBM合作在进行相关研究。

    Ed Doller会上还表示，128Mbit存储设备已经测试证明能经过1亿次擦写以及保存资料10年以上。他还表示相变内存有可能会作为部分PC系统里的内存。