IDF07：Intel展示PRAM看能否取代DRAM

    英特尔公司的技术总监拉特纳计划在IDF技术峰会上，首次公开演示其PRAM技术。PRAM是由英特尔和数家其它公司联合开发的一种非挥发性内存,被认为可能取代闪存，甚至是DRAM.与DRAM不同的是，在产品掉电前，闪存等非挥发性内存不会丢失存储的信息。但是，与DRAM相比，闪存读写数据的速度要慢得多，而且容量较小，制造成本也更高。

    其实，英特尔早期就已经计划在今年上半年出样90nm工艺128MBIt（16MB）的FPRM，PRAM也就是－－Phase-change random access memory相变随机存取储存器的简称，PRAM类似于目前大家常见的CDRW盘片，其可以在一定情况下从非晶态转化到晶体状态，具体其通过加热一个由掺杂硫族化合物组成的薄膜，这种电流可以使储存单元在阻性非晶态和导性晶体状态这两种状态下进行切换。

   英特尔和其它公司都希望PRAM能够取代NOR和NAND闪存，提高PRAM芯片的需求，降低其生产成本。闪存被广泛应用在手机和其它便携式产品中，但也能被应用在PC中。闪存还是英特尔Robson闪存缓冲技术的核心。PRAM的应用范围与闪存一样，英特尔正在调查PRAM的新用途，看它是否能够取代DRAM，它的性能似乎不弱于DRAM。即使证明PRAM能够取代DRAM，它也不可能完全取代DRAM。