5.1提前做准备 小编教你选购普通内存

　　我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：

　　（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。

    图表显示了CAS2，CAS2.5和CAS3延时的时间选择（例如标记了CL=2的就是CAS2）。注意那些指出了时钟信号的上升或下降的垂直虚线，因为这是双精度数据RAM，每个“时间单位”有两个这样的点。

     CAS Latency是读取命令的送出和输出数据的第一个块有效之间的延迟。CAS Latency以时钟周期来度量。在三个例子的最后一个里，在T0（Time=0）送出的读取命令直到T3（Time=3）才生效。

    建议：较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。

    我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。

    （2）修改tRCD（（RAS-to-CAS Delay）值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。

    建议：对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。

    （3）修改tRP（RAS Precharge Time）值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。

    建议：tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。

    （4）修改tRAS（RAS Active Time）值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短。

    建议：调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。

    （5）Command Rate

    K8平台中的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。

    建议：这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。在调试时可以先设置为1T，假若不稳定再采用2T设置。

    提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。