5.1提前做准备 小编教你选购普通内存

    不管怎样，只要降价，对消费者来说就是好消息。以目前市场内存价格来看，1GB DDR2-667已经跌至360元左右，512MB内存170元就可以买到，所以现在购买内存绝对超值。五一黄金周马上就要到了，每当这个时候，很多朋友都会选择出去玩玩，或者尽情购物。

    就拿中关村的电子市场来说吧，除了最受人关注的DC、DV等数码产品热销外，DIY攒机产品也颇受青睐。纵观各大电子配件，内存无疑是重点之一，内存商家们也都在摩拳擦掌。在前段时间内存产品大幅降价后，内存整体价格还在稳步下滑，5.1期间内存价格肯定全线回稳，大容量内存价格也已经降到超低价位。

    购买大容量内存，可以让程序运行更稳定，数据传输更迅速，这是勿庸置疑的。所以，在五一黄金周到来之际，您在选购内存的时候可以考虑一下容量、高频率的产品。在此小编收集了一些内存选购知识，希望对大家在5.1购买内存时有些帮助。

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    『内存做工、用料解析』
    『优化内存技巧与方法』
    『内存延迟时间调整』
    『便宜内存也能超频』

● 内存选购技巧：

1、如何看内存的用料及做工好坏

　　我们可以从下面几个方面来判断内存条的好坏：金手指、用料、设计、工艺。

    用料：要看一根内存的用料水准很简单：如果内存上面的小贴片元件多，那么这根内存用料应该说不错。用在内存上面的小元件主要有两种，一种上面有数字的，叫做排阻；一种更小的方块，叫做电容，通常用作耦合。一般在内存颗粒和金手指之间，会有很多的排阻，而内存颗粒周围则会有很多电容。用料差的内存，在整个PCB板面上都是“光秃秃”的。

    设计：内存的PCB板通常为四层板或者六层板，尤其对于DDR内存，由于工作频率较高，采用六层板为佳。

    其次，看看内存上颗粒、排阻、电容的焊接工艺，如果焊点圆滑饱满富有光泽，那么这根内存所使用的焊锡和焊接机是比较好的。

    内存关键的两个频率与参数，在这里我们可以形象的比喻，为拉力赛制造的汽车可以跑得超快，但无法像F1赛车一样灵活。同样地，F1赛车在拐角处是优秀的，但在沙漠中将被拉下，普通内存频率与参数很难同时满足。

    ● 什么是SPD？

　　SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。

　　● SPD的作用是什么？

　　启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。

　　从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。

    ● 内存各项参数优化详解：

    参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代，对于参数的描述变成了4个值，例如：2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么？简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS，这个缩写的全程和中文名称如下：

　　启动计算机，进入主板BIOS设置（这里以Award BIOS、P4系统为例）中“Advanced Chipset Feature”界面，选择“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。

　　注：默认设置为“SPD”，即“自动侦测模式”。在SPD模式下，系统自动从内存的SPD芯片中获取信息，所以理论上说，此时内存的工作状态是最稳定的。

　　如果想超频内存，就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外频为133MHz，要将DDR333内存超频到200MHz外频使用，那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到DDR333，无疑就要选择“3∶4”。

　　如果要保证调节后的稳定性，有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是：选择“Add Voltage”，然后进行调节。切记：在提高内存工作电压的时候，要循序渐进，切勿一次提高过多而损坏内存。

　　我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：

　　（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。

    图表显示了CAS2，CAS2.5和CAS3延时的时间选择（例如标记了CL=2的就是CAS2）。注意那些指出了时钟信号的上升或下降的垂直虚线，因为这是双精度数据RAM，每个“时间单位”有两个这样的点。

     CAS Latency是读取命令的送出和输出数据的第一个块有效之间的延迟。CAS Latency以时钟周期来度量。在三个例子的最后一个里，在T0（Time=0）送出的读取命令直到T3（Time=3）才生效。

    建议：较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。

    我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。

    （2）修改tRCD（（RAS-to-CAS Delay）值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。

    建议：对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。

    （3）修改tRP（RAS Precharge Time）值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。

    建议：tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。

    （4）修改tRAS（RAS Active Time）值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短。

    建议：调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。

    （5）Command Rate

    K8平台中的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。

    建议：这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。在调试时可以先设置为1T，假若不稳定再采用2T设置。

    提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。

    以下内容转自XFastest Forum论坛，小编无意中看到一款超频能力不错的金士顿内存条，在此发上来让消费者们看看，便宜的内存其实也能超。

    这款内存型号为KVR667D2N5/1G，是一款单条1GB套装，频率为DDR2 667，默认电压是1.8V。

 内存颗粒采用的是金士顿原厂颗粒。

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