指甲盖的战争 13款microSD卡横向测试
● 写入次数的差异——以一对十
这里有个众所周知的理论指标:SLC的写入(编程)次数为10万次,MLC的写入(编程)次数为1万次。基本上MLC是以一对十,看起来好象是挺大的差距,实际上究竟如何呢?
有人做过比较,假设购买了一款采用MLC NAND闪存为存储介质的MP3播放器,每天更新一次MP3文件,这样每年要执行365次写入,1万次可够折腾至少27年的,去除7年零头作为数据读取对闪存寿命的损耗,这款MP3播放器如其它部件不出问题可以正常使用至少20年。就算恋旧的人也不可能20年就用一款MP3播放器吧?
很难想象一款用20年的MP3……
这种比较很有道理,其实,我们拿到microSD卡的领域来看,无论你是使用手机还是其它相关产品。有时候一天要执行4、5次,甚至是10次的数据写入操作,例如更换MP3、更换MP4,如果游戏的话就更麻烦,隔几个小时更新一次都有可能。但同样,更新完成后,几天、甚至10几天都不更新数据也是常有的事。相信基本上每一位拥有数码产品的人都有这样的感受。因此,平均每天写入1次,总体寿命约为20年的推算是比较合理的。多数人可能远远达不到平均每天更新一次这个指标。
就算你是个数据写入狂,平均每天执行5次数据写入操作(一天执行5次不难,难的是天天坚持执行5次),除去零头作为读取操作对寿命的损耗。那么,1万次的寿命也够你折腾5年左右。以IT产业日新月异的发展状态,5年后存储卡不知是什么格式、什么容量了。就如同5年前,你能想象指甲盖上的存储卡容量达到2GB吗?就算当年的32MB U盘至今仍然保存完好,有多少人还会再去使用呢?所以,其实MLC的寿命,作为microSD存储卡来说,完全够用了。追求10万次,只能得到心理上的安慰而已。
功耗差异——对microSD卡而言基本忽略
硬性物理指标,SLC一个Cell放1bit数据,从前文的原理叙述来看,数据只有0和1两种状态,控制电压故只有增高和不增高两种状态,目前的驱动电压为1.8V。
相对MLC的情况复杂很多,以2bit MLC为例,在一次读写中有数据有00、01、10和11四种状态,需要4种电压来控制。目前驱动电压就为3.3V。假如是4bit的MLC,这个数值也许更高。
简单总结,目前MLC驱动电压更高,同等条件下功耗的确更多。不过这个问题对于microSD这样的标准化产品(SD标准电压2.7V到3.6V)来说这样的差异很小。
不过技术是不断进步的,东芝、Intel以及三星都在抓紧研制MLC技术寻求突破。网上有消息指出,Intel新65nm制程MLC写入速度较以前产品提升两倍,工作电压仅为1.8V。
出错率差异——SLC更少
很明显,这个是MLC高。道理同上节,SLC在一次读写中数据只有0或1两种状态,而2bit MLC有00、01、10和11这种状态,谁更复杂一目了然。MLC工作时需要透过储存格的电压控制精准读写,以控制浮动栅上的电荷数量,使其呈现出4种不同的存储状态。MLC的出错率显然要比SLC高,出错率高可能会部分体现在速度的差异上。
本节总结:MLC容量战绝对优势,是microSD卡主流存储介质
由于MLC的Cell数据存储密度变大,单颗Chip存储容量更高,单位容量的成本更低,这也是MLC最大的优势。也是尽管目前SLC暂时在性能上领先,包括三星在内的所有闪存厂商都大力发展MLC技术的原因。SLC在容量上先天不足,无法与MLC相比。
前文提到,可以说正是由于MLC促成了microSD卡这样微型存储卡的出现,而且容量还不断攀升。不过无论是SLC还是MLC的技术都在发展,拿本次参测的产品来看,512MB容量卡全部采用SLC芯片,而1GB和2GB容量卡大部分采用MLC芯片。
Sandisk符合SDHC规范的4GB microSD卡
由于MLC不断发展,制程技术不断改进,以及8层堆叠技术的出现,更高容量的microSD卡的出现也成为可能。新的SDHC(High Capacity SD Memory Card)规格已经出台,符合SDA的SD 2.00规范,意思是大容量SD卡。SDHC以FAT32为标准格式,4GB容量起跳,最高支持32GB,已经有厂商推出4GB容量、SDHC规范的microSD卡。不过,现有的SD读卡设备需要升级才能支持新的SDHC卡。SDHC属于未来一段时间可能会流行的产品,本文只提一下,不作详细介绍。