万事俱备还欠什么？芝奇DDR3内存测试

    东汉末年，曹操率兵南下，仅供刘备与孙权的联军。刘备的军师诸葛亮和孙权的大将周瑜，商讨破敌良策，两人不谋而合，都主张只有火攻，才能打败曹操。一切准备好了，周瑜却发现曹操的船只都停在大江的西北，而自己的船只靠南岸。这时正是冬季，只有西北风，如果用火攻，不但烧不着曹操，反而会烧到自己的头上，只有刮东南风才能对曹军发起火攻。周瑜眼看火攻不能实现，急得口吐鲜血，病倒在床上。

    诸葛亮猜透了他的心事，就笑着说：“我有个药方，保证治好您的病。”说完，写了16个字，递给周瑜。这16个字是： 欲破曹公，宜用火攻；万事俱备，只欠东风。周瑜忙向诸葛亮请教办法，诸葛亮懂得天文，知道几天内会刮东南风，就说自己能用法术借来东南风。后来，果然刮起了东南风，使吴军火攻成功，曹军大败而归。

 火烧赤壁

● DDR到DDR2内存的改朝换代

    在内存领域里，新的内存想要崛起需要众多因素配合。就如现在市面上的主流DDR2一样，多方面的支持才造就了今天这样的局面。其实在2006年之前，DDR内存占据了大壁江山，但是由于AMD在06年第二季度发布全新的AM2接口，引进了DDR2内存的支持，再也不支持DDR内存。再加上Intel力挺DDR2内存。

 AMD 接口的转变，支持DDR2内存

◎ 外部因素

    1.Socket M2架构处理器盛行，内嵌了DDR2的内存控制器而非DDR1
    2.从I9X5芯片组开始，Intel就已经开始下定决心将LGA775、PCI-E与DDR2这几大变革普及到底
    3.高频率，现在DDR2可以达到1066MHz，DDR内存最高为400MHz
    4.价格，同样512MB容量，DDR 400比DDR2 667贵50～100元

◎ 内部因素

    1.电压也比DDR的2.5v低许多，在1.8v的同频率下DDR2可比DDR低一半功耗，高频低功耗是DDR2内存的优点
    2.DDR2采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制
    3.DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取

    虽说DDR2与DDR名字仅一字之差，但它们可以说是质的不同了。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准DDR2 SDRAM，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。 内外因素的带动下使得DDR2内存慢慢崛起，万事具备，只差价格这支东风让DDR2内存迅速成为主流。

    自从2006年下半年开始，让DDR2成为主流的东风已经到来，DDR2内存价格在平稳下滑。特别是进入2007年，内存价格迅速下滑，现在1GB DDR2-667已经降到250元左右，可是DDR内存比其高出上百元。DDR2凭借低廉的价格，已经完全取代DDR内存的地位，市面上还会购买DDR内存的人微乎其微，DDR过渡到DDR2内存的时代已经全部完成。

    DDR2内存的好日子还没过上几天，它的下一代产品DDR3横空出世，又成为了人们关注的对象。DDR2改朝换代的情况会不会马上来临呢？DDR3是否已经准备好代替DDR2成为市场主流呢？

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◎ DDR3要发展需要那些条件

    『DDR3与DDR2不同之处』
    『AMD处理器支持DDR3』
    『Intel芯片组支持DDR3』
    『万事具备，还欠什么』
    『解答消费者疑问？为啥要用DDR3』

◎ DDR3简要测试

    『芝奇 GSKILL DDR3 DualChannel 』
    『稳定性、读取速度测试』

◎ 2007年DDR3内存回顾

    『南亚推出的DDR3内存』
    『CeBIT展会上DDR3内存』
    『中国IDF峰会上DDR3内存』

    在谈论内存是否又开始改朝换代之前，我们先来了解下，DDR3这个新内存技术与DDR2有那些区别。

● DDR3与DDR2的不同之处

1、逻辑Bank数量

    DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

2、封装（Packages）

    DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。

3、突发长度（BL，Burst Length）

    由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

4、寻址时序（Timing）

    就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

5、新增功能——重置（Reset）

    重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

6、新增功能——ZQ校准

    ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

    对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。

8、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature）

    为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。

9、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh）

    这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。

10、点对点连接（P2P，Point-to-Point）

    这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。

     除了以上10点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了。DDR2与DDR3规格对比，业界认为DDR3-800将被限定于高端应用市场，这有点像当今DDR2-400的待遇，预计DDR3在台式机上将以1066MHz的速度起步

    在自身有优势的情况下，DDR3想要得到发展还需要外部条件的支持。

● 处理器支持DDR3

    从AMD早期公布出的AMD K8L架构细节来看，AMD下一代K8L架构最主要的特点是采用模块化设计，从三级缓存到内存控制器，K8L核心内的每个组件都采用模块化设计，K8L的组件模块化设计将带来更强壮的性能和优化的连接界面。

    AMD K8L处理器的每个核心都具备32KB+32KB的一级缓存，256KB的二级缓存和2MB的三级缓存，并且根据AMD的蓝图显示，三级缓存容量还将进一步提升。AMD表示，一级缓存容量减半是考虑到三级缓存加入的优化做法。

    K8L架构采用DICE动态独立核心管理，ACPI层可以单独动态的控制每个核心功耗，在系统不使用该核心的情况下，可以将该核心完全关闭。

    基于K8L架构的Opteron处理器将集成4条16-bit HyperTransport-3连接，并且可以转变成8条8-bit HyperTransport连接，以达到8个处理器插座达到最大32个完全互连核心的目的。

    AMD K8L架构也就是我们现在所说的K10，原生支持4核心设计，。目前，AMD处理器将在今年夏天再次迎来架构更新，也就是业界期待已久的K10，而到了明年下半年，AMD又将带来新的45nm工艺、DDR3内存和Socket AM3接口。因此从现在情况来看，DDR2内存显然不是AMD最好的选择，高频率、低时序的DDR3内存必然会是AMD积极开拓的对象。除AMD的单方努力外，Intel芯片组的发展也对DDR3内存起到不可忽视的推动作用。现在Intel方面也明确公布出支持DDR3内存芯片组的详细规格，并且已经有产品上市。

● Intel芯片组支持DDR3

    Intel可谓是产品推广的专家，这次它又将力推最能的P35芯片组。可喜的是这款芯片组支持频率更高、电压更得的DDR3内存标准。从Rembus推广未果，到支持DDR2到支持DDR3，Intel的新款芯片组的发布，带来的都是产业的整体升级，这次也不例外。

 Intel今年主推的芯片组，基本上都支持DDR3内存

    Intel将会于五月推出Bearlake系列芯片组，其中P35以及G33芯片组同时内建DDR2及DDR3内存控制器，因此支持DDR3的主板以及DRAM模块将会在今年第二季就会出现在市场上。随着此款芯片组的普及，想不用DDR3都是不可能的。

◎ 支持DDR3的P35主板已经在村里上市

    据泡泡网主板频道的同事采集回来的信息指出， 尽管还有几天，才是英特尔P35系列芯片组正式上市的日子，但是国内已经有P35上市销售了。继5月8日广州发售微星P35主板后，北京中关村也很快发售了技嘉的P35主板。而上次发售的三款P35主板并不支持DDR3内存，这次技嘉又发售了一款支持DDR3内存规格的主板，型号为技嘉P35C-DS3R。