都是延迟惹的祸 DDR3内存比DDR2慢3%

    Samsung半导体内存产品规划事业群高级工程师Kim Gyou Joong曾经表示：“不少消费者却被CAS延迟值数值所误导，认为DDR3内存在延迟值表现将不及DDR2，但据此说法完全是错误、无知的观念。事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其内存延迟值均为15ns。”

    Kim Gyou Joong进一步指出，CAS Latency是指内存需要经过多少个周期，才能开始读写数据，但要计算整个内存模块的延迟值，还需要把内存颗粒运作频率计算在内。

    现时，DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把内存颗粒运作频率计算在内，其内存模块的延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns，相比DDR2内存模块改善约~25%(按照JEDEC官方规划)，因此消费者误将CAS数值当作是内存模块的延迟值是不正确的观念。

    按照按照JEDEC官方规划来看，DDR3内存延迟比DDR2要改善了，可是从测试大家都可以看出在相同平台下，相同频率下，由于DDR3延迟过高的问题使得性能比DDR2慢。可以说DDR3正走以前DDR2的老路，在DDR2刚出来的时候，DDR2延时要比DDR高，DDR2 667以前性能都没有DDR 400高，但是凭借频率的逐渐提升，渐渐超过DDR内存。

● DDR3何时才能成为主流？

    要成为主流，DDR3内存想要摆脱比DDR2性能低的命运，只有出更高的频率内存才能挽回现在的劣势。

    据内存大厂Micron指出，DDR3内存模块初期市场需求较低、产能相对于较少，因此售价相比同容量的DDR2模块出高50% ~ 80%不等(视乎速度)，预期DDR3售价须在2008年底才能回落至与DDR2模块相约的水平；而DDR3模块需求则估计约至2009年下半年，才会一举跃过DDR2模块成为主流，2010年则可望拿下整体市场6成份额。

    此外，Micron亦预期DDR3模块寿命将至2014年，次世代内存DDR4将于2011年面世，再度上演内存世代交替戏码。由于DDR2技术已十分成熟，现时各大厂商所生产的内存颗粒CAS数值，已较JEDEC规格来得更低，同样地，DDR3颗粒生产技术亦在微调中，预期在不久的将来，各大内存厂商将可推出较JEDEC规格更强的DDR3产品。<