都是延迟惹的祸 DDR3内存比DDR2慢3%

    两大处理器厂商巨头的支持，让内存厂商获得了最大的动力，明显加快DDR3内存的量产及上市。据近期消息显示，多家内存厂商的DDR3内存芯片和模组已经通过了英特尔（Intel）的认证。

● 三星：六月底量产DDR3内存芯片

    三星电子（Samsung Electronics）宣布，旗下的21款DDR3内存芯片和模组已经通过了英特尔（Intel）的认证，和英特尔的PC芯片组兼容，这是该内存芯片走向商业发布的最后一道程序。

    三星计划在6月底之前开始DDR3芯片的量产，07年下半年启动销售业务。在本周举行的微软WinHEC大会上，该公司还展出了8GB的DDR3内存模组。

    “三星DDR3内存芯片和模组在英特尔桌面平台上的出色性能预示着DDR3将成为2007年重要的桌面技术。”三星半导体内存市场部副总裁Kevin Lee说。

● 海力士：07年底采用66nm工艺

    在5月1日时，海力士半导体（Hynix Semiconductor）就宣布该公司的DDR3内存芯片和模组通过了英特尔验证。海力士计划在今年第三季度量产基于80nm工艺的1Gb DDR3芯片，2007年底制程将过渡到66nm。

    “采用小型封装（Small Form-factor Package）海力士1Gb DDR3芯片可以有效减少生产商的成本，使高密度内存模组成为可能。”海力士DRAM开发部门副总裁Kih Joong Sik博士说。

● 尔必达：70nm 1GB DDR3 1600即将投产

    5月14日，日系DRAM厂商尔必达（Elpida Memory）的DDR3也通过了英特尔G33平台的认证，芯片型号包括：尔必达同时宣布，70nm制程的1Gb DDR3将很快投入生产，最高速度可达DDR3 1600。

尔必达1GB DDR3 1066内存模组样品

● 美光：08年初2Gb DDR3出击

    美国爱达荷州（Idaho）当地时间5月14日，美光（Micron Technology）也宣布其1Gb DDR3内存成功地通过英特尔桌面平台认证。预计到08年年初，美光2Gb DDR3芯片也将投入使用。

    “美光在DRAM技术方面的努力使我们走在了高密度内存方案的行业领先地位，很高兴我们的DDR3内存技术在英特尔桌面平台上运行正常。”美光内存群组副总裁Brian Shirley说。

● 金士顿：2007年开发支持Intel的高性能电脑平台的DDR3技术

    金士顿近日宣布其DDR3 1066MHz内存模组通过了intel平台认证。而金士顿亚太业务行销副总裁陈思轲表示。“对于正在准备迈向新一代DDR3内存技术的金士顿来说，通过Intel平台认证是一个关键，证明我们已经为PC系统制造商、主机板制产商和抢先一族用户准备好了解决方案。”

 ValueRAM DDR3模组

    金士顿新推出的HYperX和ValueRAM DDR3 1066MHz模组是尖端科技的产品，首先推出的是512MB和1GB容量单片装，以及1GB和2GB容量的双通道套装。金士顿目前所挑选出的最高达1GB容量的内存产品限量供应，将可支持2007年下半年度推出的下一代电脑平台。