华硕 打破双通道DDR3内存世界纪录！

    6月17日晚，UNI超频战队的Victor Wang使用华硕P5K3-Deluxe搭配镁光DDR3内存与Intel Xeon 3070处理器，在双通道模式下将内存超频到了DDR3-2107MHz 9-9-8-18，一举打破了之前由竞争对手创造的“单通道”内存的2080MHz的DDR3内存世界纪录！

 
DDR3—2107MHz达成！2080Mhz的纪录宣告被破！

    其实在之前使用Core 2 Duo E6850进行测试的时候VicotrWang已经可以在双通道模式下将内存频率提高到2060MHz，达成了双通道模式下的最高内存频率，但相较之前单通道纪录--2080MHz在频率上还差一些（创造这一成绩的平台只能在双通道模式下达到2000MHz），但我们的“老王”仍然对自己的成绩不是很满意，随后他换上一颗Xeon 3070，一鼓作气将这个纪录提高到了双通道2107MHz！

 
之前使用E6850时的测试成绩——2060MHz！

 先前的DDR3纪录——2080MHz

    在之前的测试中，优化了内存小参后的双通道模式下，Everest内存频宽一举突破12000MB/s，ASUS P5K3-Deluxe帮助DDR3洗脱高频低能的罪名。CPU在480MHz FSB的时候Sisoftware Sandra Memory Bandwidth成绩差一点突破10000MB/s，也体现出了高频下双通道内存的海量带宽优势！

 
Everest 内存带宽测试突破12000MB/s

Sisoftware Sandra Memory Bandwidth成绩9915MB/s！

    ASUS P5K3-Deluxe主板都采用Intel P35 Express芯片组和先进的90nm工艺制程，支持Core 2 Extreme到Core 2 Quad, core 2 duo, Pentium Extreme, Pentium D和Pentium 4的系列处理器，基于P35/ICH9R的南北桥芯片，支持1333MHz的前端总线技术。主板提供了4组DDR3的内存插槽，支持DDR3-1333/1066/800的non-ECC unbuffered内存模组，最高8GB内存容量。

    这款主板CPU供电模块采用富士通铝壳固态电容、半封闭式电感等组成了8相供电设计，为您的超频旅途保驾护航。主板采用覆盖MOSFET、北桥和南桥芯片的一体化热管散热设计，背面还带有协助散热的“Stack Cool2”散热技术，这种组合式设计在以往的产品中是很少见的。强大的CPU供电单元和出色的散热能力为用户的超频打下良好的基础，保证主板品质和超频能力。

 
8相供电设计

 
富士通铝壳固态电容、半封闭式电感保证了您超频平台的稳定性！

    UNI超频战队介绍：

    Uni战队由国内三位顶尖级超频玩家组成，分别是：VictorWang、CDKEY与yangxun。

    Uni这个名称所包含的含义有：

    Unique/少有

    Unite/团结

    Union/优异玩家联盟团体

    名单上的这三位成员都是近些年在国内大陆地区崭露头角的极限超频玩家，并取得过优异成绩，所以称其为少有名副其实，是国内大陆地区实力很强的战队。