谁让965哭泣! 十三款P35主板权威横评
两大处理器厂商巨头的支持,让内存厂商获得了最大的动力,明显加快DDR3内存的量产及上市。据近期消息显示,多家内存厂商的DDR3内存芯片和模组已经通过了英特尔(Intel)的认证。
1、 三星:六月底量产DDR3内存芯片
三星电子(Samsung Electronics)宣布,旗下的21款DDR3内存芯片和模组已经通过了英特尔(Intel)的认证,和英特尔的PC芯片组兼容,这是该内存芯片走向商业发布的最后一道程序。
三星512MB DDR3 1066内存样品
三星计划在6月底之前开始DDR3芯片的量产,07年下半年启动销售业务。在本周举行的微软WinHEC大会上,该公司还展出了8GB的DDR3内存模组。
“三星DDR3内存芯片和模组在英特尔桌面平台上的出色性能预示着DDR3将成为2007年重要的桌面技术。”三星半导体内存市场部副总裁Kevin Lee说。
2、海力士:07年底采用66nm工艺
在5月1日时,海力士半导体(Hynix Semiconductor)就宣布该公司的DDR3内存芯片和模组通过了英特尔验证。海力士计划在今年第三季度量产基于80nm工艺的1Gb DDR3芯片,2007年底制程将过渡到66nm。
“采用小型封装(Small Form-factor Package)海力士1Gb DDR3芯片可以有效减少生产商的成本,使高密度内存模组成为可能。”海力士DRAM开发部门副总裁Kih Joong Sik博士说。
3、尔必达:70nm 1GB DDR3 1600即将投产
5月14日,日系DRAM厂商尔必达(Elpida Memory)的DDR3也通过了英特尔G33平台的认证,芯片型号包括:尔必达同时宣布,70nm制程的1Gb DDR3将很快投入生产,最高速度可达DDR3 1600。
尔必达1GB DDR3 1066内存模组样品
4、美光:08年初2Gb DDR3出击
美国爱达荷州(Idaho)当地时间5月14日,美光(Micron Technology)也宣布其1Gb DDR3内存成功地通过英特尔桌面平台认证。预计到08年年初,美光2Gb DDR3芯片也将投入使用。
“美光在DRAM技术方面的努力使我们走在了高密度内存方案的行业领先地位,很高兴我们的DDR3内存技术在英特尔桌面平台上运行正常。”美光内存群组副总裁Brian Shirley说。
5、金士顿:2007年开发支持Intel的高性能电脑平台的DDR3技术
金士顿近日宣布其DDR3 1066MHz内存模组通过了intel平台认证。而金士顿亚太业务行销副总裁陈思轲表示。“对于正在准备迈向新一代DDR3内存技术的金士顿来说,通过Intel平台认证是一个关键,证明我们已经为PC系统制造商、主机板制产商和抢先一族用户准备好了解决方案。”
ValueRAM DDR3模组
金士顿新推出的HYperX和ValueRAM DDR3 1066MHz模组是尖端科技的产品,首先推出的是512MB和1GB容量单片装,以及1GB和2GB容量的双通道套装。金士顿目前所挑选出的最高达1GB容量的内存产品限量供应,将可支持2007年下半年度推出的下一代电脑平台
并且受vista操作系统的影响,今后内存的大容量趋势已经不可阻挡。随着高密度的DDR3内存颗粒的普及应用,对于降低高容量内存成本以及减少封装成本都是大有帮助的,这将会推动DDR3内存的普及速度。从各个角度来看DDR3的普及趋势已定,也只是时间早晚的问题。