三星发布60nm制程 2Gb DDR2 Dram颗粒

    三星电子今天发布其第一款60nm  2Gb DDR2 DRAM,并将在下半年开始量产。  

    与80nm 2Gb DDR2相比较而言, 60nm 的速度提高了20%，达到了800Mbps 。而且,新2Gb DDR2的生产效率更是提高了40%，Samsung同时还提供给2Gb DDR2 四种类型模块，包括 8GB 充分缓冲, 双重轴向记忆模块(FBDIMMs); 8GB 注册双重轴向记忆模块(RDIMMs)，4GB无缓冲，双重轴向记忆模块(UDIMMs)，和4GB 小概述，双重轴向记忆模块(SODIMMs) 。

    此外，相比同样容量的模块，新模块消耗大约减少30% 电力，可以让发热量降低。