业界第一款 三星研发出60nm内存芯片

    三星近期表示，已开发出采用60nm级制程地2GB DDR2 DRAM，并取得Intel认证，将于2007年底起导入量产。据了解，此次开发出的60奈nm2GB DDR2 DRAM的最快速度可达800Mbps，与80nm 2GB DDR2相比，性能可以最多提升20%，更重要的是节能效率可以增强40%。

    三星还表示2007下半年起DRAM市场将由512MB转换为1GB，而三星也将透过此次推出的60nm 2GB DRAM，希望以高性能产品持续主导DRAM市场。