Intel：宣布在三门晶体管研究方面取

Intel公司于本周在日本召开的2003年VLSI技术与电路座谈会上宣布，该公司在三门晶体管研究方面取得了重大进展，已开始从研究阶段过渡到开发阶段。这一创新的三维（3D）晶体管设计将使得Intel公司进一步推动“摩尔定律”的发展，同时不断推出高性能、低功耗的处理器产品。同时，Intel公司还透露了使用低成本制程开发数字COMS无线组件方面的进展，以及在设计低功耗、高性能电路方面的具体成果。

快速晶体管是高性能微处理器中最关键的构建模块，自去年Intel宣布首款三门晶体管技术以来，该公司的研究人员已成功地将三门晶体管的尺寸（以门的长度衡量）从60纳米缩小到30纳米，门尺寸较小的晶体管可以加快开关速度，最终实现更快的微处理器。

高级三门晶体管的放大图

Intel公司高级副总裁兼技术与制造事业部总经理周尚林（Sunlin Chou）说：“我们的最新研究成果显示，三门晶体管具有出色的可扩展性、可制造性和卓越的性能表现，预计我们将于2007年在45纳米制程中采用该晶体管。这一非平面三维晶体管结构将可以加快我们在纳米技术领域的创新，继续推动芯片可扩展性以及‘摩尔定律’在未来的发展。”

Intel的三门晶体管采用了创新三维门结构（如同在垂直方向上突起的高原一样），它使电子信号可以通过晶体管顶门和垂直的两个侧门进行发送。这一措施可以有效地将电子信号的传输空间扩大三倍，如同把一条单车道公路改造成一条三车道高速公路却无需占用更多的空间。借助这一优势，三门晶体管与当前的平面晶体管相比性能更为卓越。

Intel的三门晶体管专门针对批量生产进行了精心设计，这对于将其从开发阶段转移到生产阶段是至关重要的，这一创新设计还解决了当前业界面临的由于CMOS设备尺寸越来越小而导致的越来越多的漏电流问题。凭借其独特的结构，三门晶体管的漏电流问题远远低于相同尺寸的平面晶体管，Intel的三门晶体管设计已从研究阶段过渡到开发阶段，位于俄勒冈州Hillsboro的Intel300毫米晶圆工厂（Fab D1C）已成功地生产出了实验设备。

最后，Intel还详细介绍了其低功耗、高性能的电路设计论文。随着晶体管体积的缩小，诸如漏电、散热和晶体管偏差等问题迫切需要解决。Intel研究人员正通过使用控制和管制技术来最大限度降低这些问题的影响，同时通过各种措施来提高效率，致力于研制出高性能、低功耗和低散热量的处理器。Intel的最终目标是在推动摩尔定律继续向前发展的同时，加快开发节能型计算技术。