英特尔45nm新旗舰四核QX9650解析测试

    但随着芯片中晶体管数量增加，原本仅数个原子层厚的二氧化硅绝缘层会变得更薄进而导致泄漏更多电流，随后泄漏的电流又增加了芯片额外的功耗。此时，由于受“泄漏电流”的影响，导致后续产品频率无法提升，功耗高居不下。为了从当前的窘境中逃出来，Intel迅速部署65nm产品计划。迅速在2005年推出了Pentium Extreme Edition 955，标志着Intel进入一个新的阶段，65nm时代的来临。

    Pentium Extreme Edition 955处理器基于65nm工艺，是整个Pentium D 900系列双核心产品中最高端的一款。

 Pentium Extreme Edition 955

    尽管新品均采用65nm工艺制造，但其TDP（Thermal Design Power）依然为130W。工作电压需要从1.2v到1.375V，机箱内部温度不能够超过68.6度。不过，Preslers无论在制造工艺还是架构变革方面都有了非常大改进，包括独立的双L2 Cache设计，以及制造工艺较90nm产品有了非常大的改观。

　　虽然这一代产品晶体管材质较上一代并没有太大变化，但是在漏电方面的改进还是非常显著的，起初在90nm工艺下采用的应变硅技术，在新一代65nm处理器上得到进一步发展，虽然绝缘层还是停留在1.2nm，但是晶体管扭曲提升了15％，这样的结果就是漏电减小了4分之一，这样也使的晶体管的响应速度在没有功耗提升的情况下提升了近30%，整体表现还是不错的。