速读：六大亮点 AMD-7系列新技术解析

    为配合新一代系统Vista新增了ReadyBoost及ReadyDrive技术，Intel于4月中发布的新一代Centrino平台Santa Rosa中，加入了全新的Turbo Memory技术，能配合ReadyBoost技术提供作业系统及应用程式的启动效率，而AMD亦不敢怠慢，将会于新一代SB700南桥中，加入全新HyperFlash技术应战，此技术将会采用Samsung的OneNAHD Flash模组，体积细小并有效减成本。

    据Microsoft指出，新一代Windows Vista系统的ReadyBoost及ReadyDrive功能，能缩减作业系统及应用程式的启动时间，为硬碟机造成更大的缓冲容量，提升读写时间，并减少硬碟启动及转动次数，降低硬碟的耗电，进一步提升电池续航力，而Intel Turbo Memory技术皆支援以上两项功能，令运作Vista时能效表现更佳。

ReadyBoost

    为对抗Intel Turbo Memory技术，AMD计划于SB700南桥中加入全新的HyperFlash技术，它将会把Flash Controller线路与IDE Bus脚位整合，支援Samsung OneNAND芯片，最高支援4 die ，晶片时脉为80MHz ，16Bit介面最高传输速度为108MB/s，并声称相比Intel Turbo Memory快30% 。

    现时，HyperFlash所采用的模组是由Molex设计，PC业者可自行生上HyperFlash卡，可支援512MB 、1GB及2GB容量，相比Intel Turbo Memory必需由Intel自行生上，HyperFlash吸引自然较高，如果HyperFlash行销策成功，将有望迫使Intel把Turbo Memory生产下放给PC厂商。

HyperFlash模组设计

    根据AMD芯片组最新规划，SB700南桥正处于A12样本阶段，预计DVT Samples将会在11月初试产，12月正式量产，不过量产后初期HyperFlash功能只会在Beta驱动程式中提升，支援HyperFlash的正式版本驱程式预计要在明年2月才会上阵。

    图左下为HyperFlash模组设计，图右上为HyperFlash模组卡工程样本。