工艺大变迁 DRAM首次进入54纳米级别

    随着功耗逐渐被重视，处理器宣布也进入45nm级别，使得处理器性能更强、功耗更低。紧接着记忆体业也有好消息传出，Hynix宣布正式推出54nm工艺1Gb DDR2 DRAM记忆体，并得到Intel的认证许可，这也是记忆体业内首次进入50nm工艺技术的级别。

    Hynix表示，54nm工艺的记忆体晶片将在明年下半年投产，主要应用于生产DDR2和DDR3记忆体晶片，容量为1Gb、2Gb，同时在显存和移动记忆体晶片方面也有涉及。

    更先进的工艺制程将有效减小电子产品的面积，因此，54nm的记忆体晶片相比60nm而言，减小了将近40%。不仅有效的解决了功耗问题，同时也大大降低了生产成本。在节能降耗方面，Hynix还提出了“三维电晶体”架构和“W-DPG”的技术。“三维电晶体”架构和“W-DPG”的技术的原理类似于本次45nm处理器的金属电晶体闸门与高K-金属栅极，有效减小内部电流的损失，从而根本性的解决功耗问题，有效降低总体功耗，让电脑平台效能更高。