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3D NAND技术 Intel发布数据中心级SSD

    英特尔于今日推出了发布了P3320和DC P3520两款数据中心级SSD新品,并且首次用上了3D NAND技术。与此同时,DC3600和DC3700系列SSD新品也首次配备了双端口。该公司称,SSD DC P3320采用了PCIe 3.0 x4接口、支持NVMe协议且性能爆表,主要面向读取密集型云存储和数据分析应用。

    450GB版本的P3320,其顺序读取速率高达1100MB/s、随机读取达到了130k IOPS;顺序写入为500MB/s、随机写入17k IOPS。

    2TB版本的DC P3320,其顺序读取更是突破了1600MB/s、随机读取突破了365k IOPS;顺序写入1400MB/s、随机写入22k IOPS。

    英特尔并未分享太多有关P3520 SSD的细节,但其称这些驱动器“较DC P3320有着明显的性能提升和延迟改进”,使得它们很适合存储虚拟化和web托管环境。

    SSD D3600和DC3700系列则主要面向那些追求高性能和大容量的企业客户,其采用了双端口设计,适合那些需要24/7在线访问和保证故障恢复的在线交易处理类应用。

    据英特尔所述,“高可用性存储架构”需要至少2个控制器,从而实现通过多路径拓补(multi-path topology)技术访问同一个驱动器。即使一个主控挂掉了,也不会造成服务的中断。

    英特尔认为,这些新品会对早已使用SAS存储的企业拥有相当大的吸引力,想要迁移至全闪存或混合闪存存储阵列的企业,也会乐于看到这些双端口SSD。

    DC D3600和DC D3700均使用了PCIe 3.0接口,英特尔亦称它们是首批支持NVMe 1.2规范的驱动器,NVMe就是专门为高可用性存储系统而设计的。

    NVMe 1.2提供了如下特性:

    80 SQ/CQ + 1 每端口队列管理;

    支持 WRR 队列优先级;

    动态多名称空间;

    预留(Reservations);

    Scatter/Gather I/O;

    1MB MDTS;

    ? 支持 CMB 提交队列。

    英特尔声称,在生命周期内,上述驱动器的性能退化不会超过5%,同时保证90%的IOPS。■

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