低价/低功耗是趋势！一周CPU热点回顾
● Intel/AMD本周热点新闻回顾—【产品篇】
◎ 英特尔发布小体积低功耗处理器"凌动"
英特尔于本周发布了命名为凌动的历史上最小的最低功耗处理器。
英特尔发布最小最低功耗处理器“凌动”
据介绍，凌动处理器的功耗规格在0.6瓦至2.5瓦之间，速度可以达到1.8GHz，相比之下，当今主流的移动酷睿2双核处理器的功耗在35瓦左右；其尺寸不到25平方毫米，11个处理器芯片也只有人民币一角钱硬币的大小，这使它成为英特尔历史上有史以来最小的、功耗最低的处理器。
凌动处理器家族是专门为移动互联网设备(MID)以及将在今年晚些时候推出的简便、经济的新一代以互联网应用为主的简易电脑而设计的。英特尔同时还宣布推出针对MID平台的英特尔迅驰凌动处理器技术，该处理器技术的开发代码为“Menlow”，它包括英特尔凌动处理器、一个包含集成显卡的低功耗同伴芯片、无线通讯部件，以及更轻更薄的产品设计。
这些新型的芯片(设计代码为“Silverthorne”和“Diamondville”)将采用英特尔45纳米Hi-k金属栅极技术生产，每个细长的英特尔凌动处理器芯片的硅晶片中封装了4700万个晶体管。
“这是我们采用全球最小的晶体管生产出来的最小的处理器，”英特尔执行副总裁兼首席营销官马宏升(Sean Maloney)说，“这一小小的奇迹是设计领域一次新的重要飞跃，它体积虽小却功能强大，足以在这些新设备上实现丰富庞杂的互联网体验。我们相信它将给业界开创新一轮的创新。”
◎ 英特尔推低价双核Diamondville处理器
据国外媒体报道，有熟悉英特尔计划人士透露，英特尔公司将推出代码名为Diamondville的低电耗单内核处理器，但英特尔公司还打算推出双内核的Diamondvelle处理器。
据悉，与单内核芯片相比，双内核版的Diamondvelle将提供更佳性能，这种新处理器的定位是低成本台式电脑，与威盛科技等厂商展开竞争。Everex公司目前销售配置价格为300美元的配置威胜低价格处理器的台式电脑。
Diamondville芯片是以为超便携式设备设计的“Silverthorne”芯片架构为基础的。虽然这两种芯片属于不同的市场，但是，这两种处理器都是一个处理器家族的，并且很快将有正式的品牌名称。
另外，Diamondville芯片很可能用于英特尔下一个版本的Classmate PC中。微星科技已经推出一款基于Diamondville芯片的超低价格笔记本电脑平台与华硕电脑的易PC展开竞争。英特尔打算把Diamondville芯片用于新一类超低价格的笔记本电脑中。Classmate PC就是Netbook笔记本电脑的一个例子。
虽然这种处理器的价格还没有确定，但是，消息灵通人士称，单内核Diamondville处理器将用于售价为250至300美元的笔记本电脑中。
◎ 最高TDP 12W!英特尔Q3推出Atom处理器
据台湾主板厂商透露，Intel将会于2008年第三季发布双核心版本的Atom处理器，主频为1.87GHz、最高TDP仅为12W，主要针对低价PC、机顶盒及嵌入式系统市场，其主要对手将会是VIA的C3及C7处理器，但在功耗及效能表现均力压VIA的情况下，恐怕VIA在失去芯片组事业后，未来VIA处理器市场也难以存活。
据了解，首颗Atom双核心处理器频率为1.87GHz，核心代号为Diamondville-DC，内建512KB二级缓存，支援533MHz FSB外频、Intel 64Bit及类似Hyper-Threading的多线程运算技术，由于最高功耗仅为12W，因此将可采用被动式散热设计，芯片组将会配搭945GC北桥及ICH7南桥。
由于Atom处理器采用BGA封装，不设Socket ZIP安装，因此通路市场将会以内嵌主机板形式发售，代号为Little Falls的Mini-ITX主机板，产品形号为BOX945GCLF，而双核心版本则为Little Falls2，产品形号为BOX945GCLF2。
现时已得悉华硕、技嘉及微星亦有向Intel下单Atom双核心处理器，因此除了Intel原装Atom主机板外，大家将会看到其它品牌的Atom主机板，大部份均会采用Mini-ITX规格。
据了解，在Intel启动项目入侵后，低功耗表现将不再是VIA的独门绝活，加上Intel出色的微架构设计，效能预期会比VIA处理器C3、C7甚至是新一代Isaiah处理器更出色。
昔日首席Fabless IC设计公司，台湾一代股皇，VIA好像流星般灿烂却欠恒久，在宣布放弃其芯片组事业，专心经营处理器市场后，却又再面对IntelAtom大军的强势压迫，前景相当险峻。
◎ AMD在CeBIT展示45nm四核Deneb处理器
据国外媒体报道，AMD在CeBIT展会上展示了两款采用45纳米生产工艺的新型处理器，其中一款是代号“上海”的四核服务器处理器，另一款是代号“Deneb”的四核桌面处理器。
AMD在CeBIT展示45纳米处理器
早在今年1月，英特尔就发布了16款采用45纳米工艺的新型处理器，同采用65纳米生产工艺的上一代处理器相比，它们的体积更小、功耗更低、在某些应用中性能更强。AMD此前表示，将于今年某一时间开始采用45纳米生产工艺。从今天展示的两款新型处理器来看，AMD兑现了这一承诺。
AMD新推出的两款处理器都由其Fab 36工厂制造。Fab 36位于德国德累斯顿，是一家300毫米晶圆工厂，目前已经开始采用AMD和IBM联合开发的45纳米“high-k”工艺。尽管已经公开展示，但“上海”短期内不会正式发布。有消息称，“上海”具有6MB三级缓存，可以有效地解决“巴塞罗那”存在的问题。“巴塞罗那”三级缓存的延迟过高，而且只有2MB，对于需要共享三级缓存的四个内核来说太小。
◎ AMD低功耗四核Phenom 9100E实物曝光
此前有消息称，AMD将在CeBIT 2008展会上发布一款低价、低功耗的桌面四核心处理器Phenom 9100E，而这款产品近日已经在希腊一家网站上亮相。
据悉，Phenom 9100e主频降至1.8GHz(200MHz×9)，HT总线频率1.6GHz，核心电压1.12V，一级缓存512KB，二级缓存4×512KB，三级缓存2MB，最重要的是它的热设计功耗(TDP)只有65W，大大低于现在的Phenom 9500/9600。
这款AMD Phenom 9100e编号“HD91000BJ4BGD”，将是AMD在本季度内唯一的一款新四核心处理器，不过仍为B2步进，因此依然存在TLB bug，但其售价只有100-140美元，适合预算不太充裕，又准备迈入四核时代的低端用户。AMD将在第二季度推出B3步进的Phenom 9150e取而代之。
◎ AMD B3版CPU已出货 新Phenom实物亮相
据国外媒体报道，AMD终于全面完成了B3步进的K10处理器，包括服务器巴塞罗那Opteron和桌面Phenom。新的巴塞罗那已经出货给服务器厂商，新的Phenom也露面了。
据悉，此次AMD方面限制还是非常严格，所以虽然我们看到了图片，却还不知道这是一款什么处理器，估计应该是桌面的Phenom 9550或者Phenom 9650，另外我们知道服务器版Barcelona B3版也完工了，并且已经出货给服务器厂商，而B3步进的Phenom四核心处理器将在下季度正式发布。
◎ 专为HTPC设计！AMD推出低功耗节能CPU
近日，AMD推出一款Athlon X2 4850e双核节能处理器。该处理器采用65nm工艺制造，主频2.5GHz，每核心512KB二级缓存，热设计功耗仅45W，专门面向SFF小型机、HTPC家庭娱乐中心等对功耗和噪音要求比较高的场合。目前AMD还没有透露其售价。
这也是Athlon X2低功耗型号产品线更改命名方式后的第一款新品，即从原来的BE-2000系列改为今后的4050e系列，稍后还会陆续推出4550e、4050e等，不过也就仅此三款。
AMD表示，新款45瓦AMD Athlon双核处理器的特色是透过AMD Cool’n’Quiet 等省电技术，创造出AMD节能平台解决方案，可协助小型计算机应用将功耗降至最低，让对环境的影响更小于传统规格计算机。
此外，AMD Athlon X2 4850e 双核节能处理器拥有降低噪音、发热量低的运算表现，进而提供更长的产品使用寿命。
◎ AMD 45nm四核“上海”CPU-Z截图曝光
据国外媒体，此前AMD在CeBIT2008展会上展示了两款采用45纳米生产工艺的新型处理器，其中一款是代号“上海”的四核服务器处理器，另一款是代号“Deneb”的四核桌面处理器。而且我们还可以看到关于AMD四核处理器“上海”的更多细节。
从cpu-z上得知，这款AMD处理器新品，一级数据为4x64KB，一级指令为4x64KB，二级缓存为4x512KB，三级缓存为6MB。
但由于目前没有更多测试结果，所以我们还对其性能无法做出评定。据悉这款处理器即将在今年下半年问世，同时非常节电，仅需1.15V的电压，这对我们来说，无疑是个利好消息。
● Intel/AMD本周热点新闻回顾—【产业篇一】
◎ Intel发展迅猛 可日产10万块45nm产品
当AMD计划在今年上半年开始投产45nm芯片，并在下半年大量上市之时，英特尔却已经快速削减65nm芯片的产量，将45nm芯片产量提高到了10万块/天的水平。对于AMD来说，追赶英特尔比原先预期的要困难的多。英特尔正在以惊人的速度前进，该公司的发动机此时似乎从没出现故障。在前一日的分析师会议上，英特尔CEO欧德宁表示，45nm芯片从去年底上市以来已经销售了400多万块。
他透露，英特尔已经上市的45nm芯片有72个不同型号，在俄勒冈、亚利桑那、新墨西哥和以色列的四家工厂每天生产了10万块这种芯片。到本季度末，英特尔生产的芯片中65nm和45nm的产品将各占75%和25%。预计到第三季度的某个时候，65nm和45nm将各占一半，此后45nm产品的产量将超过65nm产品。
同时，欧德宁预测，Intel 45nm工艺的研发投资约为10亿美元，Penryn/Nehalem/Silverthorne产品研发投资约20亿美元，晶圆厂建设投资约90亿美元，合计至少120亿美元。当然，如此大规模的投入必然会带来更多的回报：欧德宁i认为这120亿美元最终将给Intel赢得800亿美元的收入，投入产出比高达3:20。
下一代45nm处理器Nehalem将从年底开始登场，有双核心、四核心、八核心等不同版本，集成三通道DDR3内存控制器、支持第二代超线程、改用QPI总线、整合GPU图形核心。欧德宁称这是一种“非常灵活的设计”。他还希望Intel能在2009年将非CPU核心集成到Nehalem里，也就是GPU等通用处理核心。显然，Intel这是要挑战AMD的Fuison。
欧德宁称，Intel近年来非常注重图形技术开发，预计到2010年的32nm时代，处理器和图形芯片的研发将“完全同步进行”，而且Intel已经改变了开发态度，从“足够好的图形”转向更高端领域，与NVIDIA、AMD展开更大范围的竞争。
当然，这里说的就是Larrabee，一种杜用途“可编程Intel架构”，面向高性能计算、独立显卡等多种应用领域，预计2009年底或者2010年初发布。欧德宁表示，Larrabee有“很多核心”、“很多线程”，将是Intel首款“多核心产品”(Many-Core)。与NVIDIA的Tesla和AMD的FireStream类似，Larrabee将专注于虚拟化应用，自身具备超级计算机一般的浮点运算能力，不同的是，Intel保证Larrabee将提供更大的内存带宽和更低的编程难度，因为它是基于常规性IA架构的。
另外，英特尔还指出，32nm技术将在2009年下半年开始应用到生产中。首先亮相的是Nehalem的32nm版Westmere。新的32nm架构Sandy Bridge也已经在开发中，同时英特尔还在开发未命名的22nm技术。
◎ 英特尔大连芯片厂预计在2010年初投产
近日，大连市市长夏德仁证实，美国已经批准英特尔在大连工厂使用65纳米生产工艺。大连工厂目前已经封顶，将在2010年初正式投产。
几天前，有消息称英特尔已经获得美国政府批准在大连工厂使用65纳米生产工艺。相关人士称，作为全球最高端的民用科技之一，英特尔的CPU芯片工厂原来都只设立在美国本土、爱尔兰、以色列等西方发达国家。此外，目前CPU非常先进的生产工艺为45纳米。英特尔当初获准在中国设厂，也只能被允许生产90纳米晶圆。
对此，夏德仁表示，由于65纳米生产工艺进入工厂化生产已经非常成熟，尽管90纳米制程的产品市场需求量很大，但相信英特尔会在大连工厂采用65纳米的生产工艺，以继续提高大连工厂的生产水平。
“作为大连市政府而言，65纳米可以说已经接近物理极限，因此希望英特尔工厂的生产工艺水平越高越好。”夏德仁说，目前，英特尔大连工厂的厂房已经封顶，今年内完成装修，明年完成全部生产设备的安装和调试工作，后年正式投产。
◎ AMD与信产部合作训集成电路专业人士
新华网 由AMD(中国)公司、中国国家信息产业部软件与集成电路促进中心(CSIP)联合举办的“信息产业部CSIP-AMD集成电路专项培训”3日在重庆启动，这项活动旨在为中国中西部地区培养更多的集成电路专业人才。
项目计划在未来3年内，通过在中国部分集成电路重点城市举办专项培训活动，培养一批优秀的集成电路设计人才，促进中国集成电路设计水平的提升。
国家信息产业部CSIP主任孙加兴说，为解决中国集成电路人才供求矛盾突出的问题，信息产业部希望通过类似的专项培训，为中西部地区培养出高水平的集成电路设计人才。
AMD公司是一家业务遍及全球的集成电路供应商，为计算机、通信和消费电子行业设计和制造创新微处理器、闪存和低功耗处理器解决方案。
◎ 09年AMD移动版CPU规格：支持DDR3内存
据台湾笔记本电脑业者透露，AMD将于2009年底发布全新45nm行动处理器Swift，将分为双核心版本Black Swift及单核心版本White Swift，内建绘图核心设计，并将会支持较省电的DDR3内存模块，而在2009年底前，AMDNB平台仍会采用65nm制程。
据了解，Black Swift与White Swift仍会采用K10微架构设计，并采用全新45nm制程，功耗表现将会更为理想。此外，BlackSwift及WhiteSwift将会内建绘图核心，但不会是原生设计，而是把绘图核心与处理器封装在一起。
AMD相信DDR3内存到2009年将会普及，因此新一代Black Swift及White Swift将会内建DDR3内存控制器。因此处理器接口亦会改为Socket FS1封装。
此外，Black Swift与White Swift处理器进一步把PCI-e绘图接口亦内建于处理器内，芯片组将只会余下南桥功能，整合度又再度提升。
值得注意的是，Black Swift与White Swift的绘图核心将会支持Hybird Graphics技术，不单支持与独立绘图核心进行Hybrid CrossFire功能，更支持PowerXpress省电功能，在低负载3D模式下，将会屏敝绘图芯片，以达至最大省电效果，大幅提升电池续航力。
◎ B3步进Barcelona已供货 惠普戴尔力挺
上月中旬曾经传出消息称，AMD将在本季度发布采用B3步进的Barcelona处理器，近期这一消息得到证实。AMD官方近期已经正式表示，从上周开始，AMD已经向服务器方面的合作伙伴提供最新B3步进的Barcelona芯片。
据了解，由于TLB bug的存在，针对服务器市场的Barcelona芯片此前并没有大规模供货。TLB bug的主要表现为，当四核处理器在满负载情况下时，可能出现不稳定导致系统崩溃。该问题对服务器应用方面影响甚大，这也使得大多数服务器厂商对Barcelona持观望态度，等待解决TLB bug的B3步进芯片到来。
尽管AMD Barcelona发布不久就遭遇“bug门”，但依然获得厂商方面的支持。戴尔和惠普的发言人已经表示，将会在今年上半年推出基于B3步进Barcelona的服务器产品。早先这两家公司已经收到了了B3步进Barcelona的样品，并进行大量的测试工作。预计第二季度初期，两家的服务器新品有望面世。惠普方面的服务器型号已经确认为HP ProLiant DL585。
桌面Phenom方面，采用最新B3步进的产品也将会在2008年第二季度发布。有消息称，三核处理器将会于3月发布，这样算来首批针对OEM出货的产品可能依然采用B2步进，针对零售市场的三核产品将会全面更换到B3步进核心。
◎ AMD用超紫外光刻技术做制造测试芯片
近日AMD宣布与其研发合作伙伴IBM公司，在整个芯片上关键的第一层金属连接线中运用了超紫外（EUV）光刻技术，生产出可正常工作的测试芯片。此前采用EUV技术制造工作芯片组件的项目涵盖区域较“窄”，只限于芯片中的一小部分。在周二举行的业内首届光刻技术大会上，AMD公司的Bruno La Fontaine博士将介绍AMD、IBM和奥尔巴尼大学纳米学院（UAlbany Nano College）奥尔巴尼纳米技术研究中心（Albany NanoTech Complex）的合作伙伴的工作成果。届时他提交给大会的论文中将介绍如何成功地将“全区域”EUV光刻技术集成到22 mm x 33 mm的AMD45纳米节点测试芯片上，用于制造工艺。
La Fontaine表示：“此次重要演示将表明EUV光刻技术在未来数年中用于制造半导体的发展潜力，我们业内的所有人将因芯片部件体积的不断缩小而受益并深受鼓舞。尽管在将EUV光刻技术用于大批量生产之前还有很多工作要做，AMD已经证明了该技术可以成功纳入半导体制造流程，用于制造整个芯片的首层金属连接线。”
IBM在纽约州奥尔巴尼负责布线研究的经理David Medeiros表示：“在半导体研究方面，开展合作对于取得进展至关重要。我们在奥尔巴尼的合作使得我们能够对EUV基础架构的各个方面进行综合评估，该技术也是对是否可以用于生产进行真正的测试。”
光刻是指在制造芯片所需要的许多层中，将像微处理器那样拥有数百万个晶体管的十分复杂的芯片设计落实到硅晶圆上的技术。随着芯片设计人员不断增加其产品功能和提高其性能，晶体管变得越来越小，使得在给定大小的区域内可以容纳更多的晶体管。晶体管和连接它们的金属线能够有多小，与将芯片设计映射到晶圆上所使用的光的波长直接相关。EUV光刻技术所使用的波长为13.5纳米，与目前的193纳米光刻技术相比取得了极大的进步，使得芯片尺寸缩小的趋势得以继续。
AMD测试芯片首先在该公司位于德国德累斯顿的Fab 36工厂进行处理，该流程采用了当今大批量生产中非常先进的193纳米沉浸式光刻工具。测试芯片晶圆随即被运往IBM公司设在纽约州奥尔巴尼纳米科学与工程学院（CNSE）的研究中心。在该中心，AMD、IBM及其合作伙伴使用通过与ASML、IBM和CNSE合作安装在奥尔巴尼的ASML EUV光刻扫描仪，对在德国制造的晶体管之间的第一层金属连线进行了布线。在布线、蚀刻和金属沉淀过程以及其他诸多过程之后，AMD公司还对EUV产品结构进行了电气测试，结果显示晶体管的特性与只使用193纳米沉浸式光刻技术制造的测试芯片非常一致。我们还将采用标准制造工艺为这些晶圆添加其他的金属连接层，从而可以对大型内存阵列进行测试。
测试EUV光刻技术用于生产的可行性的下一步，不仅需要将其用于金属连线，还要用于所有的关键层，以证明EUV光刻技术可用于整个工作微处理器的制造。EUV光刻技术需要能够在2016年之前用于生产，届时有望实现《国际半导体技术发展线路图》中规划的22纳米半间距节点。
● Intel/AMD本周热点新闻回顾—【八卦篇】
◎ 英特尔调低第一季度毛利率预期为54%
据国外媒体报道，Intel近日调低了2008年第一季度的毛利率预期，目前定为54％，上下浮动1%。
据悉，Intel此前预计一季度毛利率可达56％左右，2008年全年约为57％，现在调低预期主要是受NAND闪存芯片价格较低的影响。Intel的其他预期业绩保持不变，一季度收入预期94-100亿美元，税率31％，全年研发支出59亿美元，MG&A支出57亿美元。与去年第四季度Intel毛利率58％，同比提高了8.5个百分点，同时收入107亿美元、净利润23亿美元、每股收益38美分。
以上是本周热点新闻回顾，不知道大家对于近期的处理器领域有大体的了解了吗？在多核心处理器带来的巨大机会和挑战面前，Intel和AMD才刚刚上路。眼下Intel最大问题就是要降低成本，来拿性价比与AMD对抗。而AMD最初的前进步伐一直受到技术的限制，只能对系统的整体平衡做有限的提升，但是，技术的发展趋势使AMD清楚地看到，未来工艺技术所提供的灵活性将给业界带来大量机会，使AMD能够设计出在功耗、性能和成本特性方面有显著提高的基于微处理器的系统，因此，在45nm酷睿架构已经全线贯穿之后，我们K10桌面版的新三核四核表现究竟如何，目前还是个谜。所以，在即将要上演的这次激烈的对抗，相信很多朋友都已经非常期待了，那么，让我们继续关注英特尔，继续关注AMD。<
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