AMD：公布新型三闸极式晶体管细节

    在日前在日本东京举办的国际晶体管设备及材料大会上，来自AMD的研究人员公布了其最新的三闸极式晶体管的细节。AMD最新的三闸极式晶体管运用了下一代的SOI（绝缘硅）以及金属闸极技术。

    AMD的研究人员称他们目前进行的研究旨在最大化的增强晶体管的开关性能并降低功耗，这需要将几种最新的先进技术联合运用在一个单独的单元上。

    一种运用了完全衰竭绝缘硅（FDSOI）技术的极细的电子通道是这种三闸极式晶体管的关键部分之一，它将围绕在由镍硅合金制成的闸极的三个侧面外。这种结合了FDSOI技术和镍硅合金闸极的晶体管将增强硅晶格中携带电子的能力。

    进一步说，多重闸极以及FDSOI的结构将增强晶体管中电子通路的有效宽度并能够提供更好的控制电子的能力。这些均能使晶体管的整体性能有明显的增强。

    AMD的研究人员称，这一技术能够比以往发布的多闸极技术提供高达50%的性能提高。但是由于目前的设计仍然依赖于目前的技术，这种新技术的产品量产并投入使用至少要等到2007年。