14nm北极星架构 AMD RX 480显卡首发评测

最新版本的GPU-Z已经可以识别出 RX480的各项参数：

    RX480使用的制程工艺为14nm。拥有2304个流处理器单元，相比目前价格相对接近的R9 380X的2048个流处理器和R9 390的2560个并不显得很多，这也使得核心面积缩减到了232mm²。很显然AMD似乎并不打算延续过去堆砌流处理器的方式取得进步，转而依靠新架构和新工艺带来的效率提升来获得更高的性能。另外默认频率也达到了1266MHz。

    大家所关心的显存方面使用了容量为8GB的三星GDDR5显存，显存位宽为256bit，实际频率达到2000MHz，等效频率高达8000MHz。带宽达到了256GB/s。

RX 480的核心逻辑架构图

    从架构图来看Polaris 10 GPU采用架构与之前的GCN架构有着脱不开的联系，依旧是在保留原有优秀设计的基础上进行改良。这一次AMD对Polaris的改进力度相比前几代要大上不少，无论是它的显示核心、指令调度器、几何处理器、多媒体核心、显示引擎、二级缓存还是显存控制器等等都是“焕然一新”的。RX480配备了四颗原生的原生异步引擎（ACE），在VR应用中将发挥出更强大的性能，为VR设备的优秀视觉体验提供保证。更大的二级缓存，则让Polaris 10 GPU对带宽的要求有着一定程度的降低，从而降低显存的耗电量提升能耗比。

   集成电路的制程工艺是指芯片中内每条电路与电路之间的距离。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。

    近些年显卡行业由于一些原因在2011年从32nm工艺进步到28nm之后就一直没有再度前进，28nm工艺也沿用了三代产品。举个例子可能更好理解：移动处理器行业首先使用28nm工艺的高通APQ8064是在2012年上市的，而它的首发机型就是我们熟悉得不能再熟悉的小米2，是不是有些吃惊了？也就是说一个早已经淘汰的手机芯片中用到的制程工艺被显卡行业一直用到了2015年发布的产品上。    

14nm FinFET拥有更高的电源效率

    这一局面直到去年年末三星和台积电终于搞定了14/16nm FinFET工艺生产线的稳定生产能力才得到扭转。显卡行业也就在一夜之间实现了制程工艺的跨越式发展（跳过了22nm工艺）。功耗和发热的降低允许GPU核心拥有更高的集成度和更高的频率，每瓦性能得到大幅度改善。

    FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管 (Field-Effect Transistor；FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。最终为芯片提供更好的功耗和发热控制。

    从AMD所给出的数据来看，北极星架构的每瓦性能是前代产品的2.8倍，其中14nm FinFET工艺贡献了其中至少70%的性能提升。