GDDR5的咆哮！AMD旗舰HD4870权威评测

    RV770核心不仅仅是把核心各个模块的数量翻倍这么简单，实际上在微架构方面还做了不小的优化，这方面相信很多朋友还不容易理解，下面就做一个简单的说明。

● 压缩晶体管密度，每平方毫米晶体管性能提升40%

    在GPU最关键的流处理器部分，RV770与RV670的结构是完全相同的，RV670拥有4组SIMD（每组SIMD包括16个Shader，每个Shader有5个流处理器），RV770是10组SIMD，可以说在流处理器部分只是单纯的扩充了规模。不过，这次ATI通过另外一种“投机取巧”的方式提高了RV770核心的“效能”——压缩晶体管，或者说是提高硅片的利用率。

同为55nm工艺，RV670和RV770的SIMD阵列所占体积不同

    通过上图就可以看出，从RV670到RV770，每组SIMD阵列所占用的芯片面积缩小了40%，如此一来每平方毫米晶体管所能提供的性能就提高40%。在架构和结构不变的情况下，能获得如此巨大的性能提升，看来ATI对于55nm工艺的运用已经达到了炉火纯青的地步！

RV770核心各部分模块示意图

    现在我们就可以理解，同为55nm工艺，为什么7.54亿晶体管的G92核心面积高达276平方毫米，而9.56亿晶体管的RV770核心面积只有260平方毫米！因为RV770的晶体管密度更大，G92b作为NVIDIA首颗55nm的GPU，看来晶体管密度还不够高，没有充分利用硅片面积。

RV770核心晶元切割示意图

    减少芯片面积的优势是不言而喻的，意味着一块晶元上能切割出更多的GPU核心，这样制造成本就会下降。当然与成本息息相关的还有芯片良品率的问题，RV770的晶体管密度如此之高，可能会影响良率，而且发热过于集中的问题会比较棘手。