45nm四核CPU走下神坛！千元Q8200详测

    稍有经验的DIY玩家，都会喜欢工艺更先进的CPU，相比上代的65nm来说，45nm的CPU功耗发热更小、缓存可以更大、主频可以更高、超频能力更强，整体性能更上一层楼！所以Intel的45nm双核/四核一上市销量就节节攀升。

45nm处理器的超频能力普遍都很强

TDP同为65W，45nm处理器性能更强，功耗更低

    那么，为什么45nm能够带来如此巨大的进步呢？知其然还要知其所以然。其实如果单纯使用45nm工艺的话，首当其冲的问题就是由于晶体管间距缩小而带来的漏电现象，为了解决这一难题，Intel在45nm工艺上启用了全新的晶体管绝缘层和开关闸极，以减低晶体管漏电情况。

    据了解，由于二氧化硅具有易制性，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，业者主要均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。之前Intel在65nm工艺上已经全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2nm，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。

    为解决此关键问题，Intel改用较厚的High-k材料(铪hafnium元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功令漏电量降低10倍以上。由于High-k闸极电介质和现有硅闸极并不兼容，Intel全新45nm晶体管设计也必须开发新金属闸极材料，目前新金属的细节仍属商业机密，Intel现阶段尚未说明其金属材料的组合。

    与上一代技术相较，Intel的45奈制程令晶体管密度提升近2倍，得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积。此外，晶体管开关动作所需电力更低，耗电量减少近30%，内部连接线采用铜线搭配low-k电介质，顺利提升效能并降低耗电量，开关动作速度约加快20%。

    值得注意的是，Intel成功令新一代45 nm制程产品的漏电情况降低逾5倍，其中晶体管闸极氧化物漏电量更降低超过10倍，相较上代65nm制程产品，在同一功耗表现下，频率下可提升约20%，或是在同一频率下功耗更低，节约电能或者是令电池续航力提升。

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