AMD绝地逢生!八款HD4800显卡解析测试
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RV770核心不仅仅是把核心各个模块的数量翻倍这么简单,实际上在微架构方面还做了不小的优化,这方面相信很多朋友还不容易理解,下面就做一个简单的说明。
● 压缩晶体管密度,每平方毫米晶体管性能提升40%
在GPU最关键的流处理器部分,RV770与RV670的结构是完全相同的,RV670拥有4组SIMD(每组SIMD包括16个Shader,每个Shader有5个流处理器),RV770是10组SIMD,可以说在流处理器部分只是单纯的扩充了规模。不过,这次ATI通过另外一种“投机取巧”的方式提高了RV770核心的“效能”——压缩晶体管,或者说是提高硅片的利用率。
同为55nm工艺,RV670和RV770的SIMD阵列所占体积不同
通过上图就可以看出,从RV670到RV770,每组SIMD阵列所占用的芯片面积缩小了40%,如此一来每平方毫米晶体管所能提供的性能就提高40%。在架构和结构不变的情况下,能获得如此巨大的性能提升,看来ATI对于55nm工艺的运用已经达到了炉火纯青的地步!
RV770核心各部分模块示意图
现在我们就可以理解,同为55nm工艺,为什么7.54亿晶体管的G92核心面积高达276平方毫米,而9.56亿晶体管的RV770核心面积只有260平方毫米!因为RV770的晶体管密度更大,G92b作为NVIDIA首颗55nm的GPU,看来晶体管密度还不够高,没有充分利用硅片面积。
减少芯片面积的优势是不言而喻的,意味着一块晶元上能切割出更多的GPU核心,这样制造成本就会下降。当然与成本息息相关的还有芯片良品率的问题,RV770的晶体管密度如此之高,可能会影响良率,而且发热过于集中的问题会比较棘手。
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