GlobalFoundries 2018年试产7nm工艺

    作为AMD最倚重的代工合作伙伴，GlobalFoundries的工艺进展也会影响AMD的CPU/GPU发展。现在GF决定跳过10nm工艺，直接推出性能更强的7nm FinFET工艺，但在进度上，业界普遍认为GlobalFoundries速度要比三星、TSMC以及Intel更慢，他们2019年才会推出12nm FD-SOI工艺，7nm量产似乎更加遥远。但是今天GlobalFoundries首次公开7nm工艺进展，预计2018年开始试产，并且已经跟领先的伙伴开始合作了。

    GlobalFoundries此前在工艺研发上一直磕磕绊绊，FinFET工艺节点狠心放弃了自研的14nm-XM工艺，直接使用了三星的14nm FinFET授权，今年已经正式量产，为AMD代工了Polaris显卡，未来还会有Zen架构处理器，总算是稳定下来了，双方对彼此的合作还挺满意的，前不久才签署了未来五年的晶圆供货协议。

    14/16nm工艺之后是10nm节点，TSMC及三星都争着在今年底或者明年初推出10nm代工服务，Intel明年下半年量产10nm工艺，但GlobalFoundries决定跳过10nm节点，原因我们之前也分析过——相对来说，10nm工艺被认为是14/16nm工艺的优化版，跟20nm工艺那样偏向低功耗，属于过渡节点，而GlobalFoundries自己也经不起折腾，索性跳过这一节点，直接杀向未来高性能的7nm节点。

    问题是GlobalFoundries的7nm何时问世，毕竟TSMC和三星在7nm节点上也进展很快，双方都抢着在2018年推出新工艺，TSMC更是自信满满，认为自家7nm工艺在性能、功耗及核心面积上都要超过友商。现在GlobalFoundries官方总算透露了一点口风，表示将在纽约州的萨拉托加Fab 8工厂研发7nm工艺，预计2018年风险试产。

    GlobalFoundries还公布了7nm工艺的具体性能——与目前的16/14nm FinFET工艺相比，7nm工艺将带来两倍的晶体管密度提升，性能提升30%或者功耗降低60%。此外，GlobalFoundries表示7nm工艺可以再利用相当多的14nm半导体制造设备，还会继续使用目前的光刻机，不过保留未来使用EUV光刻机的能力——EUV工艺预计会在5nm节点正式启用。

    虽然2018年早些时候才会试产，不过2017年下半年客户就能开始产品设计了，这进度还是挺快的，只不过最终产品问世还要等很久，流片成功之后通常也会有一年半载时间才能上市，也就是2019年才有可能看到7nm产品。

    值得注意的是，GlobalFoundries已经跟领先的客户在Fab 8工厂合作7nm芯片原型了——虽然他们没公布是谁，但能跟GF合作最亲密的就是AMD了，早前也有消息爆料称AMD在准备7nm工艺的下一代服务器芯片，代号“星河舰队”（starship），48核96线程，比目前的Naples那不勒斯更强大。■