内存减产发酵 明年1GB均价将反弹六成

    DRAM厂商减产效应本月可望发酵，产业景气有机会“融冰”。分析师表示，明年1Gb全年均价若站上1.6美元，对成本结构良好的DRAM厂商而言，成本有机会下降到1.8美元以下，亏损大幅降低，营运现金压力将会大减。

    台湾DRAM厂商明年农历年前手中可转换公司债一一到期，加上DRAM价格低迷，现金压力越来越大；但多家DRAM厂商及交易商预期，明年首季DRAM价格有机会止稳、且逐步向上反弹，明年全年1Gb规格均价可望较今年弹升六成以上。

    台湾DRAM厂目前以力晶生产成本最具竞争力，力晶已由70奈米制程转入65奈米，明年初将进一步升级至相当于50奈米制程的65奈米微缩制程，增加20%的产出及减少20%到 30%的成本，配合价格止跌反弹，力晶明年有机会由亏转盈。

    美光（Micron）上周五股价上涨2.28%，领先台湾DRAM厂站稳季线之上，预料在美光股价带头下，配合减产效益发酵，为台湾DRAM类股带来正面消息。

    2007年DRAM市场全年处于供过于求，DRAM全年均价跌幅达54%，今年受到金融风暴引发全球消费紧缩影响，DRAM全年均价更将超过六成。目前主流规格DDRII 1Gb现货价格在1美元附近徘徊，短线虽不致破底，但价格已严重超跌。

    台湾DRAM厂业界人士指出，DRAM厂的减产效应有助明年第一季价格开始止稳，第二季有机会见到1Gb价格反弹至1.65美元。

    事实上，继今年9月力晶、尔必达（Elpida）以及海力士（Hynix）宣布12吋减产、8吋停产后，其他原本宣称无计划减产的厂商也陆续在10月宣布减产。其中华亚科在美光确定入主后，11月开始减产20%，以准备技术转换。

    南科也暂停三厂二期的扩产计划，转而先于三厂一期厂区内进行3万片产能的技术转换，南科本月开始产能将逐步下降，预计明年1月产能降至零，2月开始转进美光技术。

    预计11月各大DRAM厂减产合计将达12.5万的12吋产能，大约占全球12吋晶圆厂总投片量10%，加上9月减产数量，截至年底全球DRAM总产能减产达16%以上。