CPU+GPU/八核/32nm! Intel新规划盘点

    [泡泡网CPU频道2月11日] 虽然日前英特尔公司裁员和工厂关门等新闻炒的沸沸扬扬，但是这些都不能阻止英特尔32nm工艺处理器的推出。不仅如此，在多核心的研发上，同样有六核八核等产品的面世，就连Intel首款CPU+GPU二合一处理器也驾临着32nm工艺的快车继往开来，此次Intel对于32nm的投产将付出多达70亿美元。

    在旧金山的国际固态电路会议ISSCC 2009上，Intel不但宣布了八核心服务器处理器“Nehalem-EX”，还首次介绍了下一代32nm Westmere家族，其中就提到了首款六核心桌面处理器“Gulftown”和首款集成图形核心的32nm工艺处理器“Clarkdale”。

八核心Nehalem-EX核心照

八核心Nehalem-EX架构图

    八核心Nehalem-EX基于45nm工艺Nehalem架构，支持QPI总线互联和超线程技术，集成双芯片、四通道内存控制器，三级缓存容量24MB，晶体管数量也达到了惊人的23亿个，热设计功耗130W，接口为新的LGA1567。

    32nm Westmere家族系列仍会全面支持超线程技术，其中Gulftown面向高端桌面，六核心十二线程，具体架构没有披露，但应该会类似于同为六核心设计的Dunnington Xeon。

六核心Dunnington核心照

六核心Dunnington架构图

    Clarkdale和Arrandale分别面向主流桌面和笔记本领域，后者还会用于服务器，均为双核心四线程设计，4MB三级缓存，支持Turbo Boost技术，且都会集成双通道DDR3内存控制器，并首次整合板载图形核心(iGFX)，还支持在集成显卡和独立显卡之间进行切换。

    最新消息，Intel已经决定取消基于45nm工艺的Havendale处理器，改为直接推出下一代32nm工艺版本，代号“Clarkdale”。

    Havendale基于45nm Nehalem架构，双核心设计，同时以多芯片封装(MCP)的形式集成图形核心，原本定于2010年第一季度发布，将成为Intel的第一颗CPU+GPU二合一处理器。

    随着32nm和第二代High-K工艺的成熟，Intel将跳过45nm Havendale，直接应用工艺升级版新架构“Westmere”，顺便还能降低功耗。根据Intel官方文档，32nm Clarkdale将采用LGA1156接口，支持超线程技术(双核心四线程)，集成4MB三级缓存，整合内存控制器支持双通道DDR3-1333，除了集成图形核心外还支持单x16或双x8模式独立显卡，不过后者只能在Ibex Peak P55/P57芯片组上实现。

    另外需要注意的是，Clarkdale处理器中只有CPU部分会采用32nm工艺，GPU部分仍将继续使用45nm工艺，毕竟同时升级到32nm的难度太大了些。Intel没有明确标明Clarkdale的发布时间，不过估计也应该在2010年第一季度左右。

    和Intel取消45nm Havendale、直接推出32nm Clarkdale类似，AMD在CPU+GPU二合一处理器方面也取消了45nm Shrike，取而代之以32nm Llano，计划2011年推出，比Clarkdale晚大约一年。

45nm Nehalem与32nm Westmere

从45nm到32nm

32nm Westmere特性简介

    Intel的32nm工艺处理器代号“Westmere”，将首先用于桌面和笔记本领域，架构方面和现有的65nm Nehalem基本相同，不过会集成图形核心。根据日前消息，Intel已经取消了首款集CPU、GPU于一体的45nm Havendale双核心处理器，改为直接上马32nm Clarkdale，预计明年第一季度发布。

    Westmere家族还会加入新的AES指令集，据Intel说类似45nm Penryn新增的SSE4.1，将带来七条新指令，用于数据加密、解密的加速。

    Intel总裁兼首席执行官Paul Otellini宣布，将在美国境内建设新的高级晶圆厂，部署下一代32nm工艺。32nm Westmere系列处理器正准备在俄勒冈州D1D工厂投产，临近的D1C也会在第四季度投产，而亚利桑那州Fab 32和新墨西哥州Fab 11X将在2010年跟进。Intel已经计划为此投资70亿美元之多。

    这是Intel公司历史上为新生产工艺投入资金规模最大的一次，在经济危机大环境下显得特别引人注目。Otellini宣称，这能继续保证Intel和美国走在创新技术的最前沿。

    这次投资主要分布在俄勒冈州、亚利桑那州和新墨西哥州三地，将创造大约7000个工作岗位。Intel在这三个地方已经拥有大量的晶圆厂，占Intel美国半导体总产能的大约75％。目前Intel在美国国内拥有4.5多万名员工，用于国内的研发支出和资本投资也占到了总规模的75％。

    据Intel介绍，32nm工艺将采用第二代High-K和金属栅极晶体管技术，九个金属铜和Low-K互联层，其中的关键层会在Intel历史上首次应用沉浸式光刻技术(AMD 45nm已使用)，无铅无卤素，核心面积可比45nm减小大约70％。Intel计划在2009年底开始投产第一批32nm Westmere处理器，更多新工艺产品将在2010年跟进。■<