AMD明年启动32nm!或抢先对手进军22nm

  AMD的32nm工艺：启用High-K电介质、金属栅极等技术，芯片频率提高10%，功耗降低10%

    在45nm时代时，AMD就使用应变硅和Ultra-Low-K电介质，将芯片性能提升了近20%，而在AMD的32nm工艺计划中，AMD也将启用High-K电介质、金属栅极等技术，可以将芯片频率提高10%，同时将功耗降低10%。

    由于自身能力有限，AMD将继续坚持自主生产与外包制作相结合的道路：微处理器大部分由自家工厂负责，少部分交给新加坡特许半导体(还可能再交给台积电一部分)，GPU显示芯片和芯片组则继续由台积电代工。

    而在2010年底至2011年，AMD集成了图形核心的“加速处理器”(APU)也终将全面开花：四核心的“Llano”(大草原)同时出击主流桌面和笔记本，拥有4MB缓存，支持DDR3内存；双核心的“Ontario”(安大略湖)则是新的超便携方案，不过缓存容量只有1MB。

    另外在高端桌面AMD会推出“Orochi”，具体规格未定，但核心数量会多于四个(六核心?八核心?)，缓存容量也会大于8MB，只是不会集成图形核心。