AMD明年启动32nm!或抢先对手进军22nm

 未来竞争很有趣：AMD将联合IBM首次领先于英特尔进军22nm？

    IBM日前联合AMD合作生产出了首批采用22纳米工艺技术的SRAM芯片产品，而这一重磅消息的发布或将挑战英特尔在该领域的领先地位。SRAM芯片是典型的半导体行业测试新工艺手段的首选设备，是迈向微型处理器的关键第一步。

    该设备是由AMD、飞思卡尔、IBM、意法半导体、东芝以及纳米科学与工程学院联合开发和制造的。这种22纳米工艺的SRAM芯片是从300mm晶圆上切割而来，采用传统的六晶体管设计方案，整个芯片面积仅有0.1平方微米。而英特尔的45纳米处理器的SRAM芯片面积为0.346平方微米。

    新工艺采用传统的设计方式——在300 mm晶圆上设置6三极管。据称，该测试芯片的磁心存储匹元（memory cell）面积仅为0.1 μm2，这方面与Intel 0.346 μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。

    据了解，Intel虽然已经有了32nm工艺制程的计划，不过其22 nm SRAM测试晶圆至今还是遥遥无期。

    IBM对于自己的32 nm制程技术同样信心十足，曾今许诺：“IBM的32 nm high-K metal gate制程工艺非常先进，其他任何一家公司所无法比拟。”不过，与IBM对于其全新的32 nm high-K metal gate技术守口如瓶不同，Intel其实已经于07年年底就开始利用high-K metal gate技术生产45 nm Penryn了。

    尽管我们离22nm以及32nm芯片还有段时间，但是以目前的情况看，IBM以及AMD们在芯片制程工艺方面已经领先于Intel了，这也是最近几十年来头一次，看来芯片巨头们的竞赛越来越有趣了。

    无论双方战果如何，我们将最终再次受益。 ■